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您所在的位置: 需求库 技术需求 氮化铝制备后加工成品率提升

氮化铝制备后加工成品率提升

发布时间: 2022-08-10
来源: 试点城市（园区）
截止日期:2022-09-30

价格 双方协商

地区： 宁夏回族自治区 银川市 贺兰县

需求方： 宁夏***公司

行业领域

新材料技术

需求背景

        氮化铝陶瓷是以氮化铝(AIN)为主晶相的陶瓷。AIN晶体以〔AIN4〕四面体为结构单元共价键化合物，具有纤锌矿型结构，属六方晶系。化学组成 AI 65.81%，N 34.19%，比重3.261g/cm3，白色或灰白色，单晶无色透明，常压下的升华分解温度为2450℃。为一种高温耐热材料。热膨胀系数(4.0-6.0)X10/℃。多晶AIN热导率达260W/(m.k)，比氧化铝高5-8倍，所以耐热冲击好，能耐2200℃的极热，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。此外，氮化铝具有不受铝液和其它熔融金属及砷化镓侵蚀的特性，特别是对熔融铝液具有极好的耐侵蚀性。

        现市场需求量大，种类丰富，要求较高。所以对后加工工序的挑战逐渐增大，尺寸公差要求高，加工工艺复杂，表面洁净度高，成品率低。以上四方面影响公司的发展，加大的成本，耗时耗力。加工处于氮化铝制备的最后一个工序，影响成品率的最大的一个因素，这也是我急需优化升级的项目。

需解决的主要技术难题

后加工成品率的提升，超薄研磨片的缺陷的：

1.隐裂占比大、缺角、碎片

2.厚度公差控制差。

期望实现的主要技术目标

后加工成品率提升至95%

1.隐裂、缺角、碎片的占比降低到1~2%

2.厚度公差起到控制，无误差

需求解析

解析单位：“科创中国”南京理工大学新材料专业科技服务团（南京理工大学） 解析时间：2022-10-09

赵磊

南京理工大学

副教授

综合评价

该技术需求明确，对于氮化铝陶瓷的成品率、公差提出了较为明确的需求。 随着大功率和超大规模集成电路的发展，集成电路和基片间的散热性也越来越重 要，因此，基片必须要具有高的导热率和电阻率。 氮化铝AlN是Al和N唯一稳定的化合物，是III-V族中能隙值最大的半导体。氮化铝陶瓷具有高的热导率、相对较低的介电常数和介电损耗、与硅和砷化镓等芯片材料相匹配的热膨胀系数、界面相容性好、无毒、绝缘等一系列优异性能，成为电子封装散热材料和组装大型集成电路所必需的高性能陶瓷基片材料。因此，解决该技术问题对于配套集成电路产业的发展有重要的意义。 提供的解决路径：对氮化铝粉体进行表面改性，解决其易水解和因氧含量增加导致的热导率大幅下降 ，通过引入少量的助剂制备固含量高、粘度低和流动性好的水基料浆，解决基片素坯在成型和干燥中的缺陷，实现基片的高成品率和结构均匀。
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处理进度

  1. 提交需求
    2022-08-10 10:24:34
  2. 确认需求
    2022-08-16 18:10:40
  3. 需求服务
    2022-08-16 18:10:40
  4. 需求签约
  5. 需求完成
服务方

“科创中国”新材料产业科技服务团 , “科创中国”宁夏科技服务团 , “科创中国”南京理工大学新材料专业科技服务团