基本信息

研究方向为器件建模与EDA工具开发，微波/毫米波集成电路设计、宽禁带半导体(SiC、GaN、金刚石)器件与模块研制。作为负责人承担了多项973、863、国家重大研究计划、国家重大科技专项、国家自然科学基金项目以及企业委托科研项目。主要学术贡献包括：(1) 建立了基于阈值电压和表面势的GaN HEMT器件的解析模型，研究结果在国内属首次并达到了国际先进水平。该模型已成功地嵌入香港AOE计划建立的交互式在线模型模拟平台：i-MOS（Website: #），并向全世界开放。(2)与国内最大的IC制造企业—中芯国际合作开展新技术节点(65nm至14nm)的模型模拟研究，开发了射频晶体管的小信号和大信号模型；建立了电感、变压器和传输线等无源元件的模型及相应的提参方法，为中芯国际提供了28nm晶体管关键电学参数如接触电阻、沟道电阻及迁移率的提取方法，为其新技术节点的工艺开发提供了指导。（3）在CMOS毫米波Gbps无线通信系统的架构设计、关键电路设计、有源无源器件建模、电路/电磁联合仿真的设计方法等方面进行了深入的探索，率团队成功研制出了国内首款CMOS 60GHz射频前端的单片全集成芯片，最高支持6Gbps的物理层通信速率和16QAM调制方式；在此基础上，在国内率先开发出28G、94G面向5G/6G通信的4通道硅基相控阵射频前端芯片，性能达到了国际先进水平。（4）研制出国内第一个反向阻断电压达到特高压（10KV）的SiC门极可关断晶闸管（GTO），性能处于国际先进水平。