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硅基材料又一里程碑 | 我国科研团队在高温超导磁控硅单晶生长技术领域取得重要突破

发布时间： 2025-03-18

3月15日上午，由中国电工技术学会主持召开，银川经开区企业宁夏超导泛半导体科技有限责任公司牵头组织的“高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用科技成果鉴定会”在银川成功举办。中国科学院院士甘子钊领衔的专家委员会对项目进行了全面评估，一致认为该项目颠覆了传统磁拉单晶技术，解决了多项硅单晶生长分析与控制等关键技术难题，填补了我国在高端硅晶体制造领域的多项空白，综合性能达到国际领先水平。

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宁夏超导泛半导体科技有限责任公司是银川经开区引进的硅材料产业重点延链补链项目，成立于2024年12月，由宁夏盈谷实业股份有限公司、江西联创超导技术有限公司等多家企业和自然人联合投资设立。计划在银川经开区投资100亿元，分三期建设高温超导硅单晶生长设备制造及高品质硅晶体生产项目。项目建成后，将达到高品质单晶硅4万吨、高温超导光伏级单晶硅生长设备600台的年产能，形成世界一流的高温超导磁控硅单晶生长装备高端制造和硅单晶生产能力。一期项目计划今年一季度开工建设，达产后预计实现年销售收入35亿元，带动就业千余人。

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此次鉴定会的成功，标志着我国在超导技术产业化应用领域迈出里程碑式一步。“这是国际上首次将高温超导技术应用于磁控直拉单晶生长，为高温超导技术产业化做了很多开创性的工作，开辟了超导技术产业化新赛道。”中国科学院院士甘子钊表示，该技术对我国实现“双碳”目标具有重要战略意义，将推动我国形成材料自主可控战略安全屏障，为下游万亿级新能源与半导体产业注入全新动能，推动全球硅材料产业格局重构。

据悉，高温超导磁控硅单晶生长装备、技术及应用的关键在于引入高温超导磁体技术，针对高品质大尺寸硅单晶生长技术瓶颈，研制出的高温超导磁控硅单晶生长装备，公司自主研发的高温超导磁控硅单晶生长设备及技术可将硅片含氧量稳定控制在 5ppma以下，硅棒头尾利用率提升4%以上，生产效率提升12%，目前已拉出直径达340mm的高品质硅棒。大尺寸硅单晶长棒快速、高稳定性、低含氧量的生长，能直接解决大尺寸(12英寸以上)高品质硅单晶的低成本、规模化生产，从而实现全产业链降本增效、技术迭代。

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作为我国最具影响力的光伏制造基地和芯片制造业供应链重要配套产品生产基地，近年来，银川经开区围绕“中国新硅都”建设，在光伏材料产业上集聚了TCL中环、隆基绿能、晶盛机电等行业头部企业，已形成拉晶—切片—电池及坩埚、炭炭、串焊、支架等完整的产业链条，具备单晶硅棒147GW、硅片90GW、单晶电池15GW、光伏坩埚69万只、支架80万吨产能。在半导体材料上集聚了创盛新材料、盾源聚芯、中欣晶圆等重点企业，已形成拉晶—截断—切片—研磨—抛光—集成电路硅片以及硅部件、半导体级石英坩埚、碳化硅衬底材料的产业链条，具备全尺寸集成电路硅片1260万片，半导体级坩埚9.5万只，硅部件8万枚的产能。“正是基于银川经开区完整的光伏材料产业链条和西部领先的半导体材料配套能力，我们这项创新技术的产业化首选落地银川经开区，我们也将加快一期项目的实施，争取年内投产。”宁夏超导泛半导体科技有限责任公司CTO戴少涛告诉记者。

中国电工技术学会、宁夏超导泛半导体科技、宁夏盈谷实业、江西联创超导技术、陕西电子西京电气、西安创联新能源等企业有关负责人及技术代表参加会议。


信息来源：银川开发区公众号