陈星弼，1931年1月28日生于上海，2019年12月4日逝世，享年89岁。半导体器件及微电子学专家，中国科学院院士。

半导体功率器件，是电能/功率处理的核心器件，更是弱电控制与强电运行之间的沟通桥梁，在“中国制造”向“中国智造”转型过程、在民族电子信息产业发展中发挥着重要作用。

我国著名半导体器件及微电子学专家陈星弼为此付出了数十年的心血与智慧，直到生命最后一刻。 他曾说：“能够在短短的人生中,以科学服务人类,这就是我此生不倦的追求。”

投身我国半导体事业

1947年，陈星弼进入同济大学，就读于电机系。20世纪50年代,在南京工学院电机系任助教的陈星弼北上中国科学院进修,投身祖国新兴的半导体事业。

在中国科学院，陈星弼被漂移晶体管吸引住了，这在当时是新生事物。陈星弼利用假期进行推导,不久,他的第一篇论文《关于半导体漂移三极管在饱和区工作时的储存时间问题》出炉了。

进修结束后，陈星弼来到成都，加入新成立不久的成都电讯工程学院（现电子科技大学），把对祖国的深情和对科研的热爱都融入这所新学校的建设之中，并在科研上取得了多项重要成果。

全力投入功率器件研究1980年8月，陈星弼进入美国俄亥俄大学学习，半年后转到加州大学伯克利分校学习。在那里，陈星弼“邂逅”了功率器件。归国后，陈星弼强烈感受到，半导体功率器件对国家电子信息领域发展的重要，于是，他全力投入这一领域的研究之中。

万丈高楼平地起，面向全新领域，陈星弼开始一砖一瓦搭建基础平台。1983年，他推动建立微电子研究所，带领大家忘我地投入科研工作。每天晚上时钟敲过12下，学校要关门了，陈星弼才肯离开实验室，一路疾走，回到家中继续干。有时工作到凌晨两三点、有时通宵达旦，直到东方发白，才短暂休息几个小时。

此时的陈星弼已年过五旬，却以比年轻人更勤勉的态度、更旺盛的精力投入这一全新的事业里。于是，一条新路,在陈星弼坚实的步伐中，延伸向希望的远方。几篇论文发表后，“功率半导体器件及高压集成电路”这个崭新而陌生的词组从此与他紧紧联系在一起。

超结器件的诞生

“集成电路为电子信息时代奠定了基础，就像造房子一样。网络、云等都是重要的，但基石是微电子。”陈星弼曾在接受采访时说，“关于电子信息的发展，有两个重要的问题：一个是如何发现新的发电方法，比如太阳能电池；另一个是如何节省电能，我们所做的工作就是节省电能。”

陈星弼以微电子研究所为“根据地”，带领一批优秀的科研工作者在半导体功率器件领域不断奋斗。他想，人们希望功率器件耐压很高，接通时电阻很小，但它却有硅极限。如何实现突破呢？

陈星弼自己出钱租设备，不分白天黑夜地泡在实验室里。 经过多年的试验，他和研究小组实现了复合缓冲耐压结构（现称为超结器件）。 它的优点是导通电阻低，易驱动，速度快，被称作“功率器件的新里程碑”。 这一发明的相关专利在全世界范围内已被广泛引用，所产生的经济效益非常明显。

师德高处山水长

陈星弼还是一名好老师。他自己在上讲台前总是将教案熟悉到极致，所有理论体系、知识案例都在他的脑海里形成一个严密的体系。走上讲台，不用背、不用记，要讲的内容像水流一样涓涓不息地淌出来。从1959年开始上课他就不带讲稿，只带一张香烟盒大小的纸片写好备忘摘录。

直至耄耋之年，陈星弼依然坚持亲自指导研究生、博士生，关心每一个学生的成长。他要求每一个学生都能背诵《兰亭集序》 《前出师表》 《岳阳楼记》，不仅学习古文经典，更要领会其中的家国情怀。

陈星弼不仅把自己的一生献给了科学事业，也希望更多同学能投身科学事业：“真正有献身精神的人才是科研发展的脊梁。”

（出品：中国科协宣传文化部 来源：风启学林 资料来源：中国科学院、光明日报、成都科协、电子科技大学 学术指导：中国科学院大学现代科学家研究中心）