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揭秘有机晶体管的失稳驱动力——界面应力

发布时间： 2022-03-25

        本站讯（通讯员 王中武）4月14日，天津大学分子聚集态科学研究院李立强教授团队在国际权威期刊《Science Advances》在线发表研究成果，揭秘有机晶体管的失稳驱动力（Sci. Adv.2021, 7, eabf8555；DOI: 10.1126/sciadv.abf8555）。

有机场效应晶体管（OFET）作为最重要的有机电子元器件之一, 在柔性显示、电子皮肤、可穿戴设备、智慧医疗、射频标签、柔性存储等领域具有广阔的应用前景。经过三十多年的发展，有机场效应晶体管的电学性能（迁移率等参数）与相关加工工艺等方面已取得巨大进步，但该领域仍未实现实用化，稳定性是制约实用化的关键瓶颈（“硬骨头”）问题，也是该领域被质疑是否有应用前景的关键问题。

传统观点认为化学结构衰变是半导体材料和器件老化的主要原因，因而人们开发了很多高化学稳定性的有机场效应半导体材料。但基于这些材料构筑的晶体管器件仍然存在稳定性问题，人们逐渐发现半导体材料物理聚集态结构失稳演变是有机晶体管器件老化的主要原因，但发生聚集态结构失稳演变的内在机制（内在驱动力）仍不清晰，进而难以开发出有效提升材料稳定性的方案，直接制约了有机场效应半导体材料与器件的实用化进程。

转载自天津大学新闻网