高纯半绝缘碳化硅单晶产业化

发布时间: 2023-08-17

来源: 科技服务团

截止日期:2023-08-17

价格双方协商

地区：广西壮族自治区钦州市市辖区

需求方：广西***公司

行业领域

高端装备制造产业,新材料产业

需求背景

碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等领域的发展，碳化硅应用场景广泛，需求增速客观。

碳化硅领域，特别是碳化硅的高端（高压高功率场景）器件领域，基本上仍掌握在西方国家手里，SiC产业呈现美、日、欧三足鼎立的竞争格局，前五大厂商份额约90%。同时，碳化硅在整个行业范围内，仍处探索发展过程中，远未达到大规模替代第二代半导体的成熟产业地步，国产替代的潜力巨大。

需解决的主要技术难题

6英寸高纯半绝缘单晶碳化硅制备工艺：包括籽晶处理、晶体生长过程温度场控制、晶体的平磨与切割加工、衬底加工等工艺技术。

期望实现的主要技术目标

生产设备的调试：碳化硅单晶基板制备过程中需要较多高精尖设备，且所生产的产品精密度较高，需要协助开展设备参数调节。

处理进度

服务方

科创中国