如何提升超β NPN管性能
价格 双方协商
地区: 浙江省 宁波市 余姚市
需求方: 浙江***究院
行业领域
高端装备制造产业
需求背景
NPN晶体管的一个参数是共发射极电流增益,其通常被称为β或 。当处于有源模式时,共发射极电流增益是集电极电流与基极电流的比率。对于示例NPN晶体管,共发射极电流增益可以在50到200的范围内。对于示例超βNPN(SBNPN)晶体管,共发射极电流增益可以是1,000或更大。
需解决的主要技术难题
目前我们能够使用到的超 β NPN管一般用在运算放大器和比较器的输入端,由于超β管的放大倍数比一般的NPN管大很多,所以可以更好地放大小信号,降低输入端的偏置和失调参数。但是随着NPN管放大倍数不断增大,器件的VCEO电压会降低,甚至在放大倍数做到1500到2000倍左右时,会出现VCE击穿的情况,如何在保证VCEO电压的情况下,把NPN管放大倍数做的更大?
期望实现的主要技术目标
工作温度:-40~85℃,
工作电压:±2~±22 V,
静态功耗:4.5mA,
失调电压:<±0.15mV,
偏置电流:<7 nA
处理进度