科创中国

行业领域

电子信息技术

需求背景

先进封装作为超越摩尔的唯一后续技术路线，具有海量的市场及发展潜力。2019年全球先进封装市场规模约290亿美元，预计2025年增长到420亿美元，复合年均增长率约6.6%。另一方面，按晶圆数来看，2019年约2900 万片晶圆采用先进封装，这一数字到2025年增长为4300万片，复合年均增长率为7%。

先进封装作为超越摩尔下一代信息技术的主流技术，通过核心技术硅桥工艺与芯片牵引，形成自主可控的面向典型三维异构集成系统的硅桥芯片集成方案，打破国外垄断局面，支撑行业的快速增长。预计技术开发完成后，将形成5000万/年的经济效益。

需解决的主要技术难题

针对异质异构光电微系统对3D集成技术的发展需求，开展硅通孔（TSV）、再布线（RDL）、晶圆键合（Bonding）和微凸点（μBump）四大工艺模块研究，突破超薄（≤50μm）整晶圆减薄技术、混合界面（Cu-Cu&Oxide-Oxide）键合对准技术、小尺寸高纵横比TSV工艺技术等关键技术，建立包括5×50μm TSV、OL≤0.5μm Cu-Cu/Oxide-Oxide混合界面晶圆键合、大马士革RDL、CD≤40μm μBump、单层晶圆厚度≤50μm的3D集成工艺平台，满足CMOS图像传感器（CIS）的3D集成和50-100G硅光模块、微波光子等光电微系统的2.5D集成加工需求。

期望实现的主要技术目标

（1）技术总结报告；

（2）四大共性工艺模块IP（包括工艺器件检测结构GDS、工艺模块Flow、单工序工艺菜单、工艺设计规则、Models等）；

（3）全局快门CIS三层关键结构：包括5×50μm TSV、OL≤0.5μm Cu-Cu/Oxide-Oxide混合键合界面、S/L=5/5μm的RDL、CD≤40μm μBump、单层晶圆厚度≤50μm。

（4）50-100G硅光模块和微波光子集成用2.5D硅转接板，包括：10×100μm TSV、硅转接板正反面双层Cu-RDL&S/L=10/10μm、CD≤200μm&Cu+AgSn Bump、硅转接板厚度100±5μm。

（5）单层TSV CP测试，RTSV≤150mΩ/孔，成品率≥90%。

需求解析

解析单位：“科创中国”北斗卫星导航创新技术产业化与国际合作产业科技服务团（中国卫星导航定位协会） 解析时间：2023-11-13

程韬

北京五洲融合创新产业战略研究院

专家

综合评价

技术可行性：评估所需技术在当前阶段是否已经成熟，是否有可靠的技术支持和解决方案。 硬件需求：评估所需的硬件设备，包括计算机性能、传感器、3D扫描设备等，是否能够满足项目需求。 软件需求：评估所需的软件工具和开发环境，包括三维建模软件、集成开发环境等，是否能够支持项目的开发和集成。 数据处理能力：评估所需的数据处理能力，包括数据采集、处理、分析和展示等方面，是否能够满足项目需求。 网络通信能力：评估所需的网络通信能力，包括数据传输、实时交互等方面，是否能够支持系统的联网和协作功能。 安全性和稳定性：评估所需技术在安全性和稳定性方面的表现，是否能够保障系统的安全运行和稳定性。 成本效益：评估所需技术的成本投入和效益回报，是否能够在经济上合理并且能够实现预期的效益。

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