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需求背景

碳化硅陶瓷零件具备了较高的散热能力而且高热导的系数也比较良好,同时还具备了较高的绝缘性能，具有优良的力学性能、高的抗磨损性以及低的摩擦系数等。

目前，我国半导体扩散炉用高纯碳化硅陶瓷部件，如碳化硅舟、碳化硅扩散管、碳化硅扩散桨等，基本上还是依赖进口，国内基本上还是空白。其主要难点是半导体用碳化硅陶瓷部件需要很高的纯度，通常要求达到99.999%以上，而目前国内这类碳化硅陶瓷部件纯度只能做到99%。目前，从美国进口这类高纯碳化硅陶瓷部件，价格极高，另外受美国对中国制裁的影响，并且还不能保证供货。

需解决的主要技术难题

主要要解决以下几方面的问题：

1、研制高纯的碳化硅原料

    高纯碳化硅原料是制备半导体扩散炉用碳化硅陶瓷部件的基础，这种高纯碳化硅原料国内目前还是空白。

2、研制高纯石墨件

    石墨件是烧结碳化硅的必用材料，目前国内高纯石墨件也基本是空白。

3、研制超高温烧结炉

    半导体用碳化硅器件的烧结都是在超高温度下进行，通常都超过2400℃，同时保证高纯的烧结气氛，目前国内都在做这方面的尝试，有所进展，但还不成熟 。

期望实现的主要技术目标

1、碳化硅原料纯度：＞99.9999%

2、高纯石墨件纯度：＞99.99999%

3、超高温烧结炉：最高温度：2500℃，常用温度2400℃，温度均匀性：±7℃

处理进度