科创中国

行业领域

电子信息技术,新型电子元器件

需求背景

高纯三氟碘甲烷（CF3I）、三甲基铝（AI(CH3)3,简称TMA)和双(二乙胺基)硅烷(SiH2[N(CH2CH3)2]2,简称BDEAS)是重要的半导体前驱体，其中CF3I主要用于半导体气相沉积加工腔室的清洗或等离子体的刻蚀，TMA借助CVD或ALD工艺主要用于生成高k（介电常数）氧化铝薄膜，BDEAS借助CVD或ALD工艺主要用于生成氧化硅薄膜。目前，这些产品国内无法突破技术和工艺的瓶颈，主要依赖进口。科利德计划开展TMA、BDEAS和CF3I高纯半导体前驱体的研发，攻克无水无氧合成、多级纯化、防脱落净化钝化洁净灌装等关键核心技术，实现国产化应用。为此，拟寻找相关单位开展联合研发。

需解决的主要技术难题

协助开展产品合成技术、纯化技术的研究：

1. 产品汽化部分工艺研究和实现；

2. 吸附部分工艺研究和实现；

3. 过滤部分工艺研究和实现；

4. 低温精馏部分工艺研究和实现。

期望实现的主要技术目标

1. 三甲基铝：

产品纯度≥6N（99.9999%）；

其中杂质含量（单位:ppm)：Fe≤0.2，Al≤0.1，Mg≤0.1，Ni≤0.1，Ca≤0.1，K≤0.05，Na≤0.05, Mn≤0,05 ,Zn≤0,05 ,Cr≤0.1,Cu≤0.1。

2. 双（二乙胺基）硅烷：

产品纯度≥6N（99.9999%）；

其中杂质含量（单位:ppm)：Fe≤0.2，Al≤0.1，Mg≤0.1，Ni≤0.1，Ca≤0.1，K≤0.05，Na≤0.05, Mn≤0,05 ,Zn≤0,05 ,Cr≤0.1,Cu≤0.1。

3. 三氟碘甲烷：

产品纯度≥产品4N（99.99%）。

其中杂质含量（单位:ppm)：H2O≤5，O2+AR≤5。

处理进度