科创中国

行业领域

电子信息技术,新型电子元器件

需求背景

现有的瞬态电压抑制二极管具有以下缺陷：（1）普通低压瞬态抑制二极管要减小漏电流，就要在满足功率的情况下减小芯片面积，台面瞬态抑制二极管，因为存在沟槽，产品面积较大，随着面积的增大反向漏电流也随着增大；（2）普通平面低压瞬态抑制PN结反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿，一般两种击穿同时存在，但在电压低于7V时的击穿以齐纳击穿为主，而电压高于7V时的击穿以雪崩击穿为主，击穿电压>l0V的TVS主要击穿模式为雪崩击穿，反向漏电流 IR< lmA ,随击穿电压的降低，击穿模式逐步向齐纳击穿转变，其反向漏电流也会急剧增加，击穿电压在<7V时，IR通常会在lmA左右，其工作能耗较大，并严重影响工作电路的稳定性。

需解决的主要技术难题

针对现有技术存在的问题提供一种有效降低反向漏电流的低电压低漏电平面瞬态抑制二极管芯片的制造方法。

期望实现的主要技术目标

瞬态电压抑制二极管芯片的制造方法工艺步骤中，通过化学抛光和热处理吸杂处理衬底硅片以降低衬底硅片表面缺陷及体内缺陷，通过一次退火处理得到10-50um的近表面清洁区，达到减小漏电流的作用；通过退火处理使得电压降低一倍，因为电压越高，漏电越大，所以通过退火能够明显降低电压减小漏电流；用此工艺制造的瞬态电压抑制二极管芯片，其漏电流可以降低至l0uA以下。

处理进度