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行业领域

电子信息技术,新型电子元器件

需求背景

瞬态二极管（TransientVoltage Suppressor）简称TVS，是一种二极管形式的高效能保护器件。当TVS二极管的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能以10的负12次方秒量级的速度，将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压箱位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，免受各种浪涌脉冲的损坏。

需解决的主要技术难题

1、普通瞬态抑制二极管芯片生产后需要进行封装成为成品；

2、普通瞬态抑制二极管封装后体积大；

3、普通瞬态抑制二极管封装后厚度厚；

4、普通瞬态二极管电容大；

5、普通瞬态二极管不能使用在高速接口电路。

期望实现的主要技术目标

选用P型衬底电阻率0.001‑0.04Ω•cm对衬底外延片硅片进行一次清洗、一次外延生长、清洗、对衬底硅片进行初始氧化、一次光刻、N+注入、埋层扩散、二次外延生长、氧化、二次光刻、磷扩散、三次光刻、p+注入、去胶、四次光刻等工序，并通过磷扩散将正负极引到芯片正面，产品厚度根据背面减薄，正面金属化，衬底硅片依次进行Ti‑W金属溅射、蒸发AL金属；对完成衬底硅片进行正面焊盘金属化学镀Ni、Au，化学镀Ni、Au作为焊盘金属将晶圆划片后焊接在电路板上，该产品不需要再做封装工艺；通过此制造方法得到的晶圆级倒扣封装低电容瞬态电压抑制二极管满足低电容、封装体积小，产品厚度薄的条件。

处理进度