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行业领域

新材料技术,无机非金属材料

需求背景

碳化硅(SiC）晶体作为第三代宽禁带半导体材料，与广泛使用的第一代半导体材料Si单晶相比，具有禁带宽度大、击穿电压高、热导率高、电子饱和漂移速率高、抗辐射性能强、化学稳定性好等优异性能，是制造高压、高频、大功率、抗辐射电子器件的重要材料，在新型电力电子器件、微波器件、高亮度LED照明器件等应用方面具有广泛需求。

本项目技术以生长高质量碳化硅晶体所需的高纯原料为目标，定向的根据高质量晶体生长的需求来开展原料合成研究，配合晶体生长工艺要求合成相应的原料，此外还可以作为产品对外销售。

需解决的主要技术难题

找到适合本公司高质量碳化硅晶体生长要求所匹配的原料及对应的原料合成工艺条件。

1、根据公司当前高质量导电型碳化硅晶体生长需求，选用高纯石墨粉和硅粉为原材料，采用高温固相合成的方法，合成高纯导电型碳化硅原料，通过调控固相合成的功率、压力、时间以及后处理工艺等参数来调控合成的碳化硅原料，以满足高质量导电型碳化硅晶体生长的需求；

2、根据公司高透型碳化硅晶体生长需求，选用高纯石墨粉和硅粉为原材料，采用高温固相合成的方法，合成高透高纯的碳化硅原料，通过调控固相合成的气氛、功率、压力、时间以及后处理工艺等参数来调控合成的高透过碳化硅原料，以满足高透型碳化硅晶体生长的需求。

期望实现的主要技术目标

找到适合本公司高质量碳化硅晶体生长要求所匹配的原料及对应的原料合成工艺条件。达到以下技术指标：

1、粒径1-2.5mm的原料占比大于40%；

2、单炉次合成原料大于4kg；

 3、原料纯度优于等于5N(99.999%)。

处理进度