科创中国

行业领域

新一代信息技术产业,信息传输、软件和信息技术服务业

需求背景

氧化物薄膜晶体管（TFT）具有高迁移率（μ）、高透过率，制备工艺简单等特点，符合现代显示技术对TFT的要求，因此，磁控溅射的氧化铟镓锌（IGZO）TFT的商业化应用应运而生。

但是成熟的IGZO TFT制造过程需要真空，成本太高，而且IGZO材料含有昂贵且有毒的In元素，用ZTOTFT代替它比较好，是取代IGZO制备CMOS反向器较为合适的材料，然而，ZTO TFT在电路工作中，会受到长时间的偏置电压、光照和温度等环境因素干扰，此时，缺陷态会对载流子进行捕获和释放，导致阈值电压（VTH）发生巨大变化（△VTH＞2V），严重影响了TFT在显示与可穿戴电子方面应用的正常工作。

需解决的主要技术难题

公司主营产品为应用于OLED显示的ITO和MAM镀膜基板，及OLED蒸镀腔室内衬清洗加工，需解决：

1、成熟的IGZO TFT制造过程需要真空，成本太高，而且IGZO材料含有昂贵且有毒的In元素。

替代产品ZTO TFT在电路工作中，会受到长时间的偏置电压、光照和温度等环境因素干扰，此时，缺陷态会对载流子进行捕获和释放，导致阈值电压（VTH）发生巨大变化（△VTH＞2V），严重影响了TFT在显示与可穿戴电子方面应用的正常工作。

期望实现的主要技术目标

目标如下：

开发一种简单的可控制深度的、阴阳离子梯度自扩散方式的掺杂技术。通过温度场/电场诱致的方法，优化电场强度和方向、温度、时间等因素，制备F&A1离子扩散深度可控的F&A1-ZTO(FAZTO)薄膜及高迁移率、高稳定性的TFT器件， μ＞7cm2/Vs，Ion/off＞107、-1.5V＜VTH＜1.5V、SS＜0.2V/decade，△VTH＜3V（@+10V，1h）。

处理进度