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需求背景

　根据《关于支持现代产业高质量发展的政策意见》（锡委发〔2021〕59号）、《关于加快推进无锡太湖湾科技创新带建设的若干政策意见》 （锡委发〔2021〕58号）精神，经榜单征集、形式审查、专家评议、局长办公会审议等程序，现将2022年度无锡市”太湖之光”科技攻关计划“揭榜挂帅”项目（高端芯片和人工智能领域）拟发布榜单予以公示（详见附件），公示时间为2022年6月7日至6月13日。

需解决的主要技术难题

任务内容和考核要求：研究氮化镓功率器件驱动芯片传输延时、抗 dVS/dt 能力、VS 负偏压能力、抗 EMI 能力四者之间的折衷关系，解决频率升高导致抗 EMI 能力不足和驱动芯片延时缩短导致的抗 dV/dt 能力不足等问题，完成氮化镓功率器件及其驱动芯片的研制，并通过多芯片单封装技术完成氮化镓智能功率模块的研发。（1）输入兼容 3.3/5V；（2）电源电压可达 11V，高侧电压 600V；（3）开通延时小于 50ns，关断延时小于 50ns；驱动芯片在 600V 浮动电压下工作频率可达 1MHz；（4）输出拉电流与灌电流能力均大于 1A；（5）芯片抗dVS/dt 能力达 100V/ns（6）具有 EMI 优化可调功能；（7）具有欠压保护、过温保护及 shutdown 功能。

期望实现的主要技术目标

任务内容和考核要求：研究氮化镓功率器件驱动芯片传输延时、抗 dVS/dt 能力、VS 负偏压能力、抗 EMI 能力四者之间的折衷关系，解决频率升高导致抗 EMI 能力不足和驱动芯片延时缩短导致的抗 dV/dt 能力不足等问题，完成氮化镓功率器件及其驱动芯片的研制，并通过多芯片单封装技术完成氮化镓智能功率模块的研发。（1）输入兼容 3.3/5V；（2）电源电压可达 11V，高侧电压 600V；（3）开通延时小于 50ns，关断延时小于 50ns；驱动芯片在 600V 浮动电压下工作频率可达 1MHz；（4）输出拉电流与灌电流能力均大于 1A；（5）芯片抗dVS/dt 能力达 100V/ns（6）具有 EMI 优化可调功能；（7）具有欠压保护、过温保护及 shutdown 功能。

处理进度