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真空热压烧结炉

发布时间: 2025-05-10
截止日期:2025-07-10

价格 ¥150万

地区： 重庆市 市辖区 沙坪坝区

需求方： 重庆***公司

行业领域

新一代信息技术产业,高端装备制造产业,电子核心产业

需求背景

在半导体封装、第三代半导体材料（SiC/GaN）及特种陶瓷制备领域，真空热压烧结是实现高致密、高性能材料合成的关键装备。当前行业面临核心痛点：

  1. 高温均匀性不足：2000℃工况下传统烧结炉温度波动＞±5℃，导致SiC基板晶界异常生长，器件击穿电压下降30%以上；

  2. 大尺寸工件致密化不均：φ700×800mm工作区内压力-温度梯度耦合效应显著，材料相对密度差异＞2%；

  3. 真空与压力协同控制滞后：现有设备难以同步满足≤1Pa极限真空与微正压（≤105kPa）烧结需求，影响氧含量控制（要求＜50ppm）。

需解决的主要技术难题

  1. 1.超高温多区协同控温

    • 需开发三区独立闭环控温系统（石墨加热器+红外补偿），解决2000℃时边缘热损失问题，实现±1℃精度（参照GB/T 10066.4标准）；

    • 突破石墨毡多层复合保温设计，确保工作区轴向/径向温差≤8℃（1600℃实测）。

  2. 2.大尺寸等静压传压稳定性

    • 设计φ700mm石墨模具的均压结构，配合液压系统PID调节，保证压力波动≤±0.5MPa（50MPa满负载下）；

    • 开发真空-压力耦合控制算法，实现≤1Pa→105kPa的快速切换（＜3分钟），压升率≤1Pa/h。

  3. 3.高功率系统可靠性与能效

    • 380kW总功率下需采用水冷电极+变压器分相供电，绝缘电阻≥100MΩ（2000℃时）；

    • 集成余热回收装置，能耗比传统设备降低≥25%（对比350kW标准机型）。

期望实现的主要技术目标

(1)额定功率：380 kW

(2)加热功率：350kW(暂定)

(3)最高工作温度：2000℃(程序升温及保温)

(4)加热方式：加热元件等静压石墨、电极引入绝缘良好

(5)保温方式：石墨硬毡+碳毡

(6)控温区数：三区

(7)有效工作区尺寸：φ700×800mm(直径×高)

(8)温度控制精度：±1℃(在工作区温度>600℃时保温阶段)

(9)冷态极限真空度：≤1Pa(可实现真空烧结、微负压烧结和微正压烧结)

(10)压升率：≤1Pa/h