科创中国
InP 6 尺寸长晶研究
发布时间:
2025-03-11
截止日期:2025-03-20
价格 ¥200万
地区： 江苏省 苏州市 昆山市
需求方： 昆山***公司
行业领域
新材料
需求背景
随着光电、通信、红外探测等领域的快速发展，对磷化铟单晶材料的需求不断增加。然而，由于技术瓶颈和产能限制，目前市场上高质量磷化铟单晶材料的供应相对紧张。产能规模较小：国内企业在磷化铟单晶生长技术方面与国际水平仍存在较大差距，产能规模较小，难以满足市场需求。尤其是大尺寸磷化铟晶片的生产能力不足，限制了其在高端领域的应用。
需解决的主要技术难题
成晶率低：由于熔体表面及固液界面通常暴露于高压气体中，高压气体的强烈对流会影响到固液界面，从而导致成晶率降低。
晶形控制：生长的晶锭往往呈现“D”形，这种形状在后续的加工过程中需要被加工成圆形晶棒，这会造成材料的浪费，并增加加工难度。
位错与缺陷：在晶体生长过程中，由于温度梯度、压力变化等因素，容易产生位错、包裹体等缺陷，这些缺陷会严重影响晶体的性能。
期望实现的主要技术目标
1. 长晶方式VB/VGF 2. 可长出4"6" <100><111><110>InP 单晶； 3. 位错密度：n 型≦ 5000 EA/cm2 ，p 型≦ 500 EA/cm2 4. 截流子浓度：(0.8-3) *1018EA/cm3 5. 电子迁移率：n 型1000-2500cm2 /v.s，p 型50-100cm2 /v.s
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