科创中国
近单晶陶瓷复合制备方法的技术需求
发布时间:
2023-07-25
截止日期:2024-07-25
价格 双方协商
地区： 河北省 保定市 竞秀区
需求方： 保定***公司
行业领域
高新技术改造传统产业
需求背景
随着GaN或AlN基器件技术的发展和应用，目前世界上的通用照明和发光领域，基本为GaN或AlN基器件所垄断。然而，由于缺少GaN单晶衬底，GaN基LED器件目前主要采用的衬底材料仍然为AL2O（3 蓝宝石）衬底作为主要衬底材料。蓝宝石衬底经过近些年的发展，取得了很大的进步，然而其仍然存在很关键的问题无法克服，第一，蓝宝石衬底与其外延的GaN或AlN材料仍然为异质外延衬底，蓝宝石和GaN的晶格失配达到***%，热失配超过50%，而这一问题的结果就是在蓝宝石衬底上面生长GaN后，外延片普遍翘曲严重，4英寸的蓝宝石/GaN外延片翘曲度就达到了200微米以上
需解决的主要技术难题
需解决：实际操作中无法形成AlN透明陶瓷结构。烧结助剂等杂质对于AlN陶瓷基板衬底生长AlN单晶或GaN单晶有很大的阻碍作用，使用现有的AlN陶瓷基板生长GaN单晶在理论上是不可能的。
期望实现的主要技术目标
期望实现：达到在上层上外延AlN单晶或GaN单晶材料的必要条件，且翘曲变形小，热导率高；制造成本低，使6英寸和8英寸LED器件的生产成为可能。
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