科创中国
一种光电二极管型激光功率计及其制备方法
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2023-09-27 10:56:04
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：天津市滨海新区| 宋学姮 | 2023-10-07 11:21:20
本申请实施例涉及半导体器件技术领域，特别涉及一种光电二极管型激光功率计及其制备方法，该光电二极管型激光功率计包括：衬底以及依次叠设在衬底上的底电极阵列结构、吸收层、顶电极阵列结构；底电极阵列结构包括多个沿第一方向依次排布的底电极阵列条，相邻的底电极阵列条之间存在第一间距；顶电极阵列结构包括多个沿第二方向依次排布的顶电极阵列条，相邻的顶电极阵列条之间存在第二间距；第一方向为底电极阵列条的宽度方向，第二方向为顶电极阵列条的宽度方向；第二方向与第一方向相垂直。本申请实施例通过底电极阵列结构和顶电极阵列结构的排布设计，使得无需再像元上引出电极，实现激光功率计的多功能探测，提高了探测精度。
1.一种光电二极管型激光功率计，其特征在于，包括：
衬底以及依次叠设在所述衬底上的底电极阵列结构、吸收层、顶电极阵列结构；
所述底电极阵列结构包括多个沿第一方向依次排布的底电极阵列条，相邻的底电极阵列条之间存在第一间距；
所述顶电极阵列结构包括多个沿第二方向依次排布的顶电极阵列条，相邻的顶电极阵列条之间存在第二间距；
所述第一方向为所述底电极阵列条的宽度方向，所述第二方向为所述顶电极阵列条的宽度方向；所述第二方向与所述第一方向相垂直。
2.根据权利要求1所述的光电二极管型激光功率计，其特征在于，所述吸收层的材料为铜基薄膜化合物半导体材料。
3.根据权利要求2所述的光电二极管型激光功率计，其特征在于，所述吸收层的材料为Cu2CdxZn1-xSnSe4。
4.根据权利要求1所述的光电二极管型激光功率计，其特征在于，所述底电极阵列条的宽度与所述顶电极阵列条的宽度相等。
5.根据权利要求4所述的光电二极管型激光功率计，其特征在于，所述第一间距的宽度与所述第二间距的宽度相等。
激光功率计是专门为检测激光电二极管组件质量、判断其好坏而设计的一种采用光电探测器的激光功率计。它具有体积小、性价比高、使用方便等特点，随着技术的发展，现在激光功率计已逐渐朝智能化方向发展。
目前光电探测器的阵列结构中，像元的顶电极从像元边缘引出，电极引线可以从像元间距或像元底部引出。像元顶电极所在的区域无法进行信号的探测，占用了像元空间，对探测率造成负面的影响；且像元的顶电极生长工艺苛刻。像元顶电极的引线工艺繁琐复杂，精度要求极高，需要进行多次光刻，进一步增加了探测器制作成本。
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本申请实施例通过在衬底上形成底电极阵列式结构和顶电极阵列结构，底电极阵列条和顶电极阵列条垂直设置，使得底电极阵列条之间以及顶电极阵列条之间相互断路，进而使得像元之间探测信号相互独立，满足所设计的探测功能。本申请提供的光电二极管型激光功率计，不用在像素单元上引出顶电极，能够实现像素单元对光吸收区域的最大化，解决像素单元顶电极引线带来的工艺繁琐等问题。同时，本申请中的底电极阵列式结构和顶电极阵列结构能够使像素间距进一步减小，提高光探测率；在探测功能上拓展测定激光光斑尺寸和定位不可见红外波段激光的功能。
技术合作
本申请实施例通过在衬底上形成底电极阵列式结构和顶电极阵列结构，底电极阵列条和顶电极阵列条垂直设置，使得底电极阵列条之间以及顶电极阵列条之间相互断路，进而使得像元之间探测信号相互独立，满足所设计的探测功能。本申请提供的光电二极管型激光功率计，不用在像素单元上引出顶电极，能够实现像素单元对光吸收区域的最大化，解决像素单元顶电极引线带来的工艺繁琐等问题。同时，本申请中的底电极阵列式结构和顶电极阵列结构能够使像素间距进一步减小，提高光探测率；在探测功能上拓展测定激光光斑尺寸和定位不可见红外波段激光的功能。
本领域的普通技术人员可以理解，上述各实施方式是实现本申请的具体实施例，而在实际应用中，可以在形式上和细节上对其作各种改变，而不偏离本申请的精神和范围。任何本领域技术人员，在不脱离本申请的精神和范围内，均可作各自更动与修改，因此本申请的保护范围应当以权利要求限定的范围为准。
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