科创中国
第三代半导体氮化镓外延片产业化
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2023-07-26 15:38:19
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：成果发布人| 王蓓瑶 | 2023-07-26 15:38:19
公司主要进行高性能、高品质氮化镓外延片材料的研发与生产。面向5G移动通信、数据中心、新能源汽车、无人驾驶、手机快充等战略新兴产业的需求，顺应中国制造2025政策中的创新驱动、高质量供给、国产替代等要求，为中国产业升级提供核心电子元器件。
①核心外延生长工艺：无需对Si衬底进行特殊处理，具有独立知识产权的核心外延生长工艺，可制备出结晶度优异的Si衬底GaN外延片。②层结构设计创新：掌握GaN外延片多层薄膜，的关键结构及其联动关系，具备设计创新结构的能力。③生长原理优化再创新：了解外延的底层生长中的物化原理，具有对GaN生长工艺及原理进行优化并持续创新的能力。④MOCVD适配及改进：可根据自主开发的GaN外延生长工艺来对MOCVD设备进行二次升级改造，实现自主化、精确化、特异化等更高要求的研发和生产需求。
消费和工业产品快充：GaN元器件实现高电压、大电流、紧凑集成、低成本的充电方案，在3C、新能源汽车等领域有广泛应用。5G通信领域：GaN器件尺寸小、效率高、功率密度大，携手5G通信，可实现高集成化、更高频率、紧密集成、低实施成本等。无人驾驶领域：GaN激光雷达驱动元件允许快速开关转换，器件传输速度明显更快，是目前激光雷达应用中硅元件的100甚至1000倍，实现高传输速度及高精度等。军用雷达及射频领域：GaN雷达元器件可实现探测距离提升80%、功耗降低60%、灵敏度及抗干扰能力均大幅度提升等。
钟蓉：首席科学家、温州大学瓯江特聘教授，薄膜专家，曾入选浙江海外精英引进计划。浙江大学学士、中科院金属研究所硕士、2010年获得匹兹堡大学（2020年USNEWS世界大学排名第47位）工学博士，2015-2020年任美国宾州州立大学化工系客座教授和美国空军基地CINT纳米研究中心Sandia国家实验室项目PI（负责人）。主持过国家重点研发计划项目、国家自然科学基金、国家级人才项目与交流、美国能源部设施基金等，获批授权专利10余项。
曹建国：法人代表、联合创始人，项目运行与管理负责人，衬底及工艺专家。北京理工大学硕士，日本秋田县立大学工学博士，近10年的半导体材料行业从业经验，原北京交通大学副教授、硕士生导师。主要研究领域为半导体薄膜制备及其电学和光学性能研究、半导体晶圆加工过程工艺控制、半导体材料微纳加工等。2009-2011任京仪集团京仪世纪电子股份有限公司多晶硅项目工程师，2014-2021任北京交通大学讲师、副教授、硕士生导师。
①2023年中关村论坛半导体领域中国唯一入围创新项目榜单；②测试显示，各类微观结构、理化测试参数均超过市售产品并达到国际领先水平。③项目团队在“2021温州全球精英创新创业大赛”总决赛上荣获冠军奖，并获得世界青年科学家峰会创业基金（简称青科基金）1500万元投资。
项目阶段：外延片产线扩产
融资金额：7-8千万元人民币
资金用途：①运营资金：设备投入和改造、生产运营、薪水开支、厂房租赁、知识产权、流动资金等②新技术研发：新类型GaN外延片、GaN衬底等；③人才激励：吸引优秀人才。
发展预测：本轮融资完成后，扩建1条产能5000片/年的6英寸GaN外延产线（1台全新MOCVD产能），或同等8英寸GaN外延产线。
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