本发明涉及一种全固态二次电池组件的制备方法,全固态二次电池组件通过串联和/或并联方法集成。串联集成步骤包括在沉积有第一集流层的衬底表面刻划沟槽,在沉积有第一集流层的衬底表面依次沉积第一极薄膜、固态电解质薄膜及第二极薄膜,再在表面刻划沟槽,沉积第二集流层,再在表面刻划沟槽,得到全固态二次电池组件。并联集成步骤包括在依次沉积有第一集流层及第一极薄膜的衬底表面刻划沟槽,再在表面依次沉积固态电解质薄膜、第二极薄膜及第二集流层,得到全固态二次电池组件。该制备方法适合薄膜化和微型化的全固态二次电池组件的制备,解决了传统焊接工艺不能满足薄膜化和微型化的电池组件的串并联集成的问题。
一种全固态二次电池组件的制备方法,其特征在于,所述全固态二次电池组件通过串联方法集成,或通过并联方法集成,或通过串并联方法集成;所述全固态二次电池组件通过串联方法集成的步骤包括:(1)在沉积有第一集流层的衬底表面刻划形成第一沟槽,所述第一沟槽贯穿所述第一集流层且使所述衬底露出,在所述沉积有第一集流层的衬底的表面依次沉积第一极薄膜、固态电解质薄膜及第二极薄膜,所述第一极薄膜填充所述第一沟槽并覆盖所述第一集流层及所述第一沟槽,得到初级串联薄膜;(2)在所述初级串联薄膜的表面刻划形成第二沟槽,所述第二沟槽贯穿所述第一极薄膜、所述固态电解质薄膜及所述第二极薄膜且使所述第一集流层露出,在所述初级串联薄膜的表面沉积第二集流层,所述第二集流层填充所述第二沟槽并覆盖所述第二极薄膜及所述第二沟槽,得到中间串联薄膜;及(3)在所述中间串联薄膜的表面刻划形成第三沟槽,所述第三沟槽贯穿所述第二集流层、所述第一极薄膜、所述固态电解质薄膜及所述第二极薄膜且使所述第一集流层露出,其中所述第二沟槽位于所述第一沟槽和所述第三沟槽之间,得到所述全固态二次电池组件;所述全固态二次电池组件通过并联方法集成的步骤包括:(1)在
二次电池又称充电电池,其作为“储能一供电”设备已被广泛用于各类电子器件。 普通的二次电池多采用液态有机物作为电解质存在泄露的隐患,加之易燃的特性,导致人 们对其安全性能的担忧。另一方面,普通采用液态电解质的二次电池因此其材料的选用和 制备的工艺限制,制成的电池器件体积较大,很难满足日趋微型的电子器件对电源的需求。
中国科学院深圳先进技术研究院提升了粤港地区及我国先进制造业和现代服务业的自主创新能力,推动我国自主知识产权新工业的建立,成为国际一流的工业研究院。 深圳先进院目前已初步构建了以科研为主的集科研、教育、产业、资本为一体的微型协同创新生态系统,由九个研究平台,国科大深圳先进技术学院,多个特色产业育成基地、多支产业发展基金、多个具有独立法人资质的新型专业科研机构等组成。开展先进技术研究,促进科技发展。信息、电子、通讯技术研究新材料、新能源技术研究高性能计算、自动化、精密机械研究生物医学与医疗仪器研究相关学历教育、博士后培养与学术交流。
将所述全固态二次电池组件与所述刻划方向平行的两侧进行清边,使两侧的所述 第一集流层露出。
[0028]在其中一个实施例中,所述第一沟槽、所述第二沟槽、所述第三沟槽及所述刻划槽 的宽度均小于lOOwn。
[0029]在其中一个实施例中,所述第二沟槽与所述第一沟槽平行,所述第二沟槽与所述 第一沟槽的距离为80〜lOOwn。
[0030]在其中一个实施例中,所述第三沟槽与所述第二沟槽平行,所述第三沟槽与所述 第二沟槽的距离为80〜100M1。
[0031]在其中一个实施例中,所述衬底为柔性衬底或刚性衬底。
[0032]在其中一个实施例中,所述刻划的方法为激光划线或机械划线。
技术合作
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并 不能因此^理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来 说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护 范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。