本发明涉及一种薄膜太阳能电池,包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层,缓冲层包括多层子缓冲层,子缓冲层为Zn1-xMgxO,其中0≤x≤t,0.2≤t≤0.4,随光吸收层至透明导电层的方向上,多层子缓冲层的x值在0~t内逐渐减小。上述缓冲层的一侧为ZnO,另一侧为Zn1-tMgtO。Zn1-tMgtO的导带底略高于CIGS吸收层的导带,ZnO的能带与透明导电层的能带完美对接,因此减少了缓冲层与吸收层界面处的载流子复合,提高了开路电压。同时避免了缓冲层的导带底显著高于CIGS吸收层的导带形成较高的电子势垒,进而阻碍电子的运输导致短路电流密度降低的问题,可使薄膜太阳能电池的开路电压与短路电流密度共同提高。本发明还提供了薄膜太阳能电池缓冲层的制备方法。
一种薄膜太阳能电池,其特征在于,包括依次叠合的衬底、背电极层、光吸收层、缓冲层和透明导电层,所述缓冲层包括依次叠合的多层子缓冲层,所述子缓冲层为Zn1-xMgxO,其中0≤x≤t,0.2≤t≤0.4,随所述光吸收层至所述透明导电层的方向上,多层所述子缓冲层的x值在0至t的范围内逐渐减小。
薄膜太阳能电池具有成本低、效率高和稳定性好等优点,最高效率已经达到21.7%,是公认的最具有发展和市场潜力的第二代太阳能电池。其典型结构为衬底/背电极Mo/吸收层/缓冲层CdS/高阻层1-ZnO/透明导电层AZO/金属栅电极等多层结构。
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I)、在沉积基体上依次沉积氧化锌单分子层和氧化镁单分子层,控制氧化锌单分子层和氧化镁单分子层的沉积次数比例为(1-x):χ,得到子缓冲层,所述子缓冲层为Zm-#80,其中0彡叉彡扒0.2彡七彡0.4;及
[0009] (2)、将步骤(I)进行多次,且保持多次步骤(I)中X值在O至t的范围内逐渐减小,得到所述薄膜太阳能电池的缓冲层,所述缓冲层包括依次叠合的多层所述子缓冲层。
技术合作
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式,其描述较为具体和详细,但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是,对于本领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干变形和改进,这些都属于本发明的保护范围。因此,本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。