科创中国
一种复杂条件下的单粒子脉冲电流源建模方法
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2023-03-16 10:03:35
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：浙江宁波市| 窦翔 | 2023-03-17 16:08:27
本项目的建模方法首先采用TCAD仿真工具分析LET、温度、入射位置、入射角度、漏极偏置对NMOS器件单粒子电流脉冲的影响，得到每种因素对单粒子电流脉冲影响的最坏情况；然后将温度、入射位置、和漏极偏置设置为最坏情况，获得不同LET情况下的漏极瞬态电流脉冲，使用模拟函数对电流脉冲进行拟合，获得每种LET情况下的模拟函数参数值，之后将拟合得出的模拟函数参数值与LET进行拟合，并在得到的拟合表达式中考虑入射角度的影响；最后采用“Verilog‑A”语言可建立复杂条件下的单粒子瞬态脉冲电流源模型。
本发明中对TCAD仿真工具分析的取值进一步优化，LET：0.1～***2/mg(元素周期表的1～92号元素在器件内的LET作用范围)；温度：-55℃～125℃；入射位置：在NMOS的反偏漏极区域均匀取点不少于30个；入射角度：0～60°；漏极偏置：0～电源电压Vdd。采用“Verilog-A”语言建立复杂条件下的单粒子脉冲电流源模型，进行电路级单粒子效应仿真。本发明综合考虑了复杂条件(LET、温度、入射位置、入射角度、漏极偏置)对单粒子瞬态电流脉冲的影响。通过对三参数的Weibull函数进行改进，不仅继承了函数精确描述单粒子瞬态脉冲电流源峰值、脉宽以及脉冲变化趋势的优点，并且只需LET和入射角度即可确定对应LET和入射角度下的最坏单粒子脉冲电流，简单而又准确度高。根据所建立的复杂条件下的单粒子脉冲电流源可通过电路级单粒子仿真验证，保证模型的准确性。
本项目采用TCAD仿真工具分析LET、温度、入射位置、入射角度、漏极偏置对NMOS器件单粒子电流脉冲的影响，得到每种因素对单粒子电流脉冲影响的最坏情况；然后将温度、入射位置、和漏极偏置设置为最坏情况，获得不同LET情况下的漏极瞬态电流脉冲，使用模拟函数对电流脉冲进行拟合，获得每种LET情况下的模拟函数参数值，可以广泛应用于微电子和数据统信领域。
宁波大学现有学科涵盖经、法、教、文、史、理、工、农、医、管等十大门类。设有19个学院,拥有3个博士授权点,2个一级学科硕士点,54个二级学科硕士点,现有农业推广硕士、工商管理硕士(MBA)、法律硕士(J.M)、公共管理硕士(MPA)、教育硕士(MEA)、工程硕士(电子与通信工程、机械工程、食品工程)等6个专业硕士学位点和高等学校教师在职攻读硕士学位授权资格,其中工商管理硕士(MBA)、法律硕士(J.M)招收全国联考专业学位硕士研究生,71个本科专业。建有1个国家重点实验室培育基地,1个省部共建教育部重点实验室,1个教育部工程研究中心,1个国家体育总局体育社科研究基地,1个省社会科学重点研究基地,2个浙江省重点实验室,2个浙江省高新技术研究开发中心,10个宁波市重点实验室,3个宁波市工程技术中心和一批科研机构;建有13个省重点学科,其中省“重中之重”学科4个,省属高校人文社会科学重点研究基地2个;省重点专业9个,省重点建设专业5个,市重点专业4个,市重点建设专业14个,已基本形成综合性大学的学科建设体系和优势特色学科群。
本项目不仅继承了函数精确描述单粒子瞬态脉冲电流源峰值、脉宽以及脉冲变化趋势的优点，并且只需LET和入射角度即可确定对应LET和入射角度下的最坏单粒子脉冲电流，简单而又准确度高。根据所建立的复杂条件下的单粒子脉冲电流源可通过电路级单粒子仿真验证，保证模型的准确性。
本项目可以采用技术转让、技术合作等多种形式进行对接，欢迎有需求的企业单位联系洽谈。
下载app