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薄膜太阳能电池的制作方法及系统
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2023-02-09 09:22:29
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：天津市滨海新区| 郝建平 | 2023-02-15 16:30:43
本发明涉及薄膜太阳能电池的制作方法及系统。一种薄膜太阳能电池的制作方法包括以下步骤：在衬底上设定定位标记和分割轨迹；在衬底上沉积钼背电极，并根据所述定位标记进行定位，完成第一次划线；在所述钼背电极上依次沉积铜铟镓硒光吸收层、缓冲层和高阻层，并根据所述定位标记进行定位，完成第二次划线；在所述高阻层上沉积窗口层，并根据所述定位标记进行定位，然后完成第三次划线，形成电池样片；及根据所述定位标记进行定位，对所述电池样片按照裁剪的轨迹进行裁剪，形成薄膜太阳能电池。上述薄膜太阳能电池的制作方法，可以制作出所需形状的、子电池面积相等的薄膜太阳能电池。
一种薄膜太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：根据预先输入的薄膜太阳能电池的大小和形状以及衬底的大小和形状，在衬底上设定定位标记和裁剪的轨迹；在衬底上沉积钼背电极，在所述钼背电极上依次沉积铜铟镓硒光吸收层、缓冲层和高阻层，在所述高阻层上沉积窗口层，形成电池样片；根据所述定位标记进行定位，对所述电池样片按照裁剪的轨迹进行裁剪，形成薄膜太阳能电池。
薄膜太阳能电池通常包括衬底以及依次沉积于衬底的导电薄膜即背电极层、吸收太阳能产生载流子的半导体层和材料为透明导电氧化物的顶部电极层。铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池是最具有代表性的新型薄膜太阳能电池之一。CIGS薄膜太阳能电池包括衬底，以及依次沉积于衬底的Mo背电极层、CIGS光吸收层、CdS缓冲层、1-ZnO高阻层以及AZO窗口层。其中Mo背电极层为导电薄膜层，CIGS光吸收层、CdS缓冲层与i_ZnO高阻层组成发电层，AZO窗口层为顶部电极层。
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中央控制单元根据预先输入的薄膜太阳能电池最终产品的大小和形状以及衬底的大小和形状，在衬底上设定定位标记和分割轨迹，并将该分割轨迹储存在存储单元内。在默认设置下，由中央控制单元所控制的划线机的分割轨迹为直线，分割出的子电池为矩形。若是需要制作其他形状的子电池，可以通过设置划线机的分割轨迹来实现。只需在划线机中设置划线机的分割轨迹，然后运行划线机，划线机沿设定的分割轨迹运动，即可分割出相应形状的子电池，有利于薄膜太阳能电池的推广使用。划线机的分割轨迹可以是圆形、三角形、五边形等规则形状，也可以是其他不规则形状。对于太阳能手表电池来说，通过改变设置划线机的分割轨迹，即可分割出适用于表盘具体形状的、具有美观效果的薄膜太阳能电池。
技术合作
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。
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