科创中国
电压基准源电路
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2023-02-06 10:35:08
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：天津市滨海新区| 郝建平 | 2023-02-24 10:53:17
本发明提供一种基于MOS器件的电压基准源电路，其包括偏置电流产生电路及启动所述偏置电流产生电路的启动电路，所述电压基准源电路还包括二极管连接形式的负载MOS管。所述负载MOS管和所述偏置电流产生电路相连接，所述偏置电流产生电路产生的偏置电流驱动所述负载MOS管。所述电压基准源电路结构简单、易于实现。
一种基于MOS器件的电压基准源电路，其包括偏置电流产生电路及启动所述偏置电流产生电路的启动电路，其特征在于，所述电压基准源电路还包括二极管连接形式的负载MOS管，所述负载MOS管和所述偏置电流产生电路相连接，所述偏置电流产生电路产生的偏置电流驱动所述负载MOS管。能够输出一种低温度系数的基准电压，能够确保电路对工艺、温度的鲁棒性以及增强了电路的可实现性，可满足高精度应用的要求。
在集成电路设计领域，实现一个不受温度影响的基准电压源电路，常见的方法有： 掩埋齐纳基准源电路、外加离子注入场效应管基准源电路和带隙基准源电路。带隙基准源 电路是当前公认的基准源电路设计技术，其主要工作原理是：工作在不相等电流密度下的 两个双极型晶体管的基极一发射极电压差A %£是一个与绝对温度成正比的量，而双极型 晶体管的Vbe具有负温度系数特性，利用这两种具有相反温度系数的电压量进行温度补偿， 就能够实现不受温度因素影响的基准电压源电路。
中国科学院深圳先进技术研究院提升了粤港地区及我国先进制造业和现代服务业的自主创新能力，推动我国自主知识产权新工业的建立，成为国际一流的工业研究院。 深圳先进院目前已初步构建了以科研为主的集科研、教育、产业、资本为一体的微型协同创新生态系统，由九个研究平台，国科大深圳先进技术学院，多个特色产业育成基地、多支产业发展基金、多个具有独立法人资质的新型专业科研机构等组成。开展先进技术研究，促进科技发展。信息、电子、通讯技术研究新材料、新能源技术研究高性能计算、自动化、精密机械研究生物医学与医疗仪器研究相关学历教育、博士后培养与学术交流。
相较于现有技术，所述电压基准源电路基于MOS器件，全部使用了标准阈值电压 的PMOS器件和NMOS器件，无需使用高阈值电压MOS器件或者耗尽型MOS器件，结构简单， 规避使用了带隙基准源电路中必须采用的双极型晶体管，只需利用了 CMOS工艺库所提供 的标准NMOS和PMOS器件，能够输出一种低温度系数的基准电压，保证电路对工艺、温度的 鲁棒性以及增强了电路的可实现性，可满足高精度应用的要求。
技术合作
以上所述，仅是本发明的实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本 发明已以实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱 离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化 的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
下载app