科创中国
异质结双极晶体管 HBT外延片
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2022-11-30 16:42:56
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：广东省广州市| 柯锐鹏 | 2023-10-19 11:30:38
阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好，适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
砷化镓(GaAs) HBT
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 异质结双极晶体管
一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管
阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
砷化镓(GaAs) HBT
Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) 异质结双极晶体管
一种由砷化镓(GaAs)层和铝镓砷(AlGaAs)层构成的双极晶体管
阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好
适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中
规格：AlGaAs/GaAs、InGaP/GaAs、InP/InGaAs
特点：HBT与结构相近的同质结晶体管相比，具有以下特点：
高速，可以到100GHz
特征频率fT高；最高振荡频率fmax高；
厄利（Early）电压较高（因基区掺杂浓度高，耗尽区不易在基区内扩展）；
基区穿通电压较高；当输出功率大导热差时，Ic-UCE特性常出现负阻效应
该科技成果的技术覆盖面广，适用于GSM/3G/4G/5G/Wi-Fi/HPUE手机、低频无线产品以及无线区域网路之中，技术创新性强，技术成熟，投资回报可靠，目标市场处于成长市场，但是该市场很快就会出现多种技术路线，产品竞争激烈，具有较宽阔的市场前景。
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
具有阈值易控、功率密度和增益高、相位噪声低、线性度好、高速、特征频率fT高、最高振荡频率fmax高、厄利（Early）电压较高、基区穿通电压较高等特点。有利于科技的发展进步，为芯片技术发展提供了新的解决方案。
转让、入股、合作开发均可，商业模式灵活。
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