科创中国
高电子迁移率晶体管 (HEMT/InP HEMT)
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2022-11-30 16:40:21
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：广东省广州市| 柯锐鹏 | 2023-10-19 11:39:56
GaAs/InP(砷化镓/磷化铟)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT，同时结合了InAlAs/InGaAs/InP基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的优点以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的优势，在毫米波频段展现出良好的应用潜力。
HEMT高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。
这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结。高迁移率的二维电子气（2DEG）存在于调制掺杂的异质结中，这种2DEG不仅迁移率很高，而且在极低温度下也不“冻结”，则HEMT有很好的低温性能, 可用于低温研究工作中。
HEMT高电子迁移率晶体管。这是一种异质结场效应晶体管，又称为调制掺杂场效应晶体管（MODFET）、二维电子气场效应晶体管（2-DEGFET）、选择掺杂异质结晶体管 (SDHT)等。
这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它是利用具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的。HEMT的基本结构就是一个调制掺杂异质结。高迁移率的二维电子气（2DEG）存在于调制掺杂的异质结中，这种2DEG不仅迁移率很高，而且在极低温度下也不“冻结”，则HEMT有很好的低温性能, 可用于低温研究工作中。
该科技成果的技术覆盖面广，可用于工作于超高频（毫米波）、超高速领域，技术创新性强，技术成熟，投资回报可靠，目标市场处于成长市场，但是该市场很快就会出现多种技术路线，产品竞争激烈，具有较宽阔的市场前景。
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
高迁移率的二维电子气（2DEG）存在于调制掺杂的异质结中，迁移率很高，在极低温度下也不“冻结”，则HEMT有很好的低温性能，可用于低温研究工作中。有利于科技的发展进步，为高电子迁移率晶体管提供了新的解决方案。
转让、入股、合作开发均可，商业模式灵活。
下载app