科创中国
GaAs Photocathode光电阴极外延片
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2022-11-30 16:37:11
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：广东省广州市| 柯锐鹏 | 2023-10-19 11:51:12
GaAs光电阴极具有负电子亲和势能，因而具有量子效率高、发射电子能量和角度分布集中的优点，因而在微光像增强器、半导体敏感器件、自旋极化电子源等众多领域得到了广泛的应用，但GaAs光电阴极的制备过程却极为复杂，对制备工艺和条件都有严格要求。
微光像增强器是指利用夜间的微弱月光、星光、大气辉光、银河光等自然界的夜天光作照明，借助于光增强器把目标反射回来的微弱光子放大并转换为可见图像，以实现夜间观察的仪器。属于被动式夜视仪，具有良好的隐蔽性。使其在很宽的波长范围内具有更高的光谱响应，同时对各种观察场景都可以获得更好的对比度，无论是在丛林、沙漠、海岸、水面、雪地等哪一种背景下都有极好的观察效果。
产品应用：海洋资源探测；高速成像；光子计数、天文观测；X射线成像、安全检测系统。
微光像增强器是指利用夜间的微弱月光、星光、大气辉光、银河光等自然界的夜天光作照明，借助于光增强器把目标反射回来的微弱光子放大并转换为可见图像，以实现夜间观察的仪器。属于被动式夜视仪，具有良好的隐蔽性。使其在很宽的波长范围内具有更高的光谱响应，同时对各种观察场景都可以获得更好的对比度，无论是在丛林、沙漠、海岸、水面、雪地等哪一种背景下都有极好的观察效果。
产品应用：海洋资源探测；高速成像；光子计数、天文观测；X射线成像、安全检测系统。
GaAs光电阴极具有负电子亲和势能，因而具有量子效率高、发射电子能量和角度分布集中的优点，因而在微光像增强器、半导体敏感器件、自旋极化电子源等众多领域得到了广泛的应用，但GaAs光电阴极的制备过程却极为复杂，对制备工艺和条件都有严格要求。
该科技成果的技术覆盖面广，在微光像增强器、半导体敏感器件、自旋极化电子源等众多领域得到了广泛的应用，可用于海洋资源探测；高速成像；光子计数、天文观测；X射线成像、安全检测系统，技术创新性强，技术成熟，投资回报可靠，目标市场处于成长市场，但是该市场很快就会出现多种技术路线，产品竞争激烈，具有较宽阔的市场前景。
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
解决了GaAs光电阴极的制备制备过程却极为复杂，对制备工艺和条件都有严格要求的问题。有利于科技的发展进步，为GaAs光电阴极制备提供了新的解决方案。
转让、入股、合作开发均可，商业模式灵活。
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