科创中国
激光二极管器件材料外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2022-11-30 16:28:37
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：广东省广州市| 柯锐鹏 | 2023-10-19 12:09:59
中科芯电半导体科技（北京）有限公司官网,中科芯电官网 ꄲ 产品技术 ꄲ 激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
激光二极管器件材料(Laser Diode)外延片 InAlAs、InGaAs、AlGaAs
激光二极管(Laser Diode) 的LASER是取
镭射二极管(Laser Diode, LD)具有轻、薄、短、小、高寿命、耐震、方向性佳及输出功率高等特性,适合供作长距离、大容量之通信用光源及存取高密度记录媒体，已大量应用于光通讯与光储存产业上，LD之发展颇被看好。
我司可生产的外延片红外波长为：
808nm：DPSS Nd：YAG 激光器中的 GaAlAs 泵浦（例如，在绿色激光指示器中或作为高功率激光器中的阵列）
848nm： 激光鼠标
980nm：用于光放大器的InGaAs泵浦，用于Yb：YAG DPSS激光器
1064 nm： AlGaAs 光纤通信，DPSS 激光泵浦频率
该科技成果的技术覆盖面广，已大量应用于光通讯与光储存产业上，适合供作长距离、大容量之通信用光源及存取高密度记录媒体，技术创新性强，技术成熟，投资回报可靠，目标市场处于成长市场，但是该市场很快就会出现多种技术路线，产品竞争激烈，具有较宽阔的市场前景。
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
具有轻、薄、短、小、高寿命、耐震、方向性佳及输出功率高等特性。有利于科技的发展进步，为二极管制备提供了新的解决方案。
转让、入股、合作开发均可，商业模式灵活。
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