科创中国
霍尔元件材料砷化镓外延片
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2022-11-30 15:52:17
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：广东省广州市| 柯锐鹏 | 2023-10-19 14:39:14
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
GaAs霍尔元件的温度特性稳定，恒流驱动时的温度特性比恒压驱动时更稳定。
砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有更高的可靠性和稳定性，更适合用于安全性、速度要求更高的领域。
GaAs霍尔元件的温度特性稳定，恒流驱动时的温度特性比恒压驱动时更稳定。
砷化镓线性霍尔效应IC采用电子迁移率比硅大5～6倍的砷化镓作为器件的半导体材料，而砷化镓被誉为“半导体材料中的贵族”，原因就是砷化镓制成的半导体器件相对于传统的硅半导体具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有更高的可靠性和稳定性，更适合用于安全性、速度要求更高的领域。
霍尔元件是一种基于霍尔效应的磁传感器。用它们可以检测磁场及其变化，可在各种与磁场有关的场合中使用。霍尔元件具有许多优点，它们的结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀。
GaAs霍尔元件的温度特性稳定，恒流驱动时的温度特性比恒压驱动时更稳定。
该科技成果的技术覆盖面广，可在各种与磁场有关的场合中使用，技术创新性强，技术成熟，投资回报可靠，目标市场处于成长市场，但是该市场很快就会出现多种技术路线，产品竞争激烈，具有较宽阔的市场前景。
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
具有结构牢固，体积小，重量轻，寿命长，安装方便，功耗小，频率高（可达1MHZ），耐震动，不怕灰尘、油污、水汽及盐雾等的污染或腐蚀等优点，砷化镓制成的半导体器件具有高频、高温、低温性能好、噪声小、抗辐射能力强等优点，这就使得使用该材料制作的霍尔线性器件具有更高的可靠性和稳定性，更适合用于安全性、速度要求更高的领域。有利于科技的发展进步，为霍尔元件制备提供了新的解决方案。
转让、入股、合作开发均可，商业模式灵活。
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