科创中国
赝配高电子迁移率晶体管 (PHEMT)-GaAs砷化镓外延片
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2022-11-30 15:48:27
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：广东省广州市| 柯锐鹏 | 2023-10-19 14:47:11
赝配高电子迁移率晶体管 (PHEMT)-GaAs砷化镓外延片
中科芯电产品包括射频用化合物半导体 PHEMT、HEMT 等产品的主要指标达到国际水平，在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到国际同类产品指标水平。国际领先水平
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中科芯电在电子迁移率、二维电子浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到或优于国际同类产品，指标水平，产品特点:高频、高速、低功耗
设备现拥有美国Veeco公司的GEN2000、GEN200大型生产型分子束外延设备工艺线，包括全套的国际一流分析检测设备。 建有2000多平方米的配套厂房，其中包括百级超净半导体和以及相关完备的无尘生产车间的配套设施。并通过弓|进国外大型分子束外延(MBE)量产化设备,实现产品规模化生产。
设备现拥有美国Veeco公司的GEN2000、GEN200大型生产型分子束外延设备工艺线，包括全套的国际一流分析检测设备。 建有2000多平方米的配套厂房，其中包括百级超净半导体和以及相关完备的无尘生产车间的配套设施。并通过弓|进国外大型分子束外延(MBE)量产化设备,实现产品规模化生产。
PHEMT:高电子迁移率晶体管(Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor);赝配高电子迁
移率晶体管;假晶高电子迁移率晶体管。
PHEMT (GaAs) 是对高电子迁移率晶体管(HEMT) 的-种改进结构，PHEMT具有双异质结的结
构,这不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性，而且也改善了器件的输出伏安特性,使得器件具有更大的
输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。
PHEMT中的2DEG要比普通HEMT中的多受到一些限制(有势阱两边的双重限制作用)，从而具有更高的电子面密度(约高2倍) ;同时，这里的电子迁移率也较高(比GaAs中的高9 %)，因此PHEMT的性能更加优越。
该科技成果的技术覆盖面广，可用于学校、办公区域、居民住宅、政务场所等多个领域的火灾防范，技术创新性强，技术成熟，投资回报可靠，目标市场处于成长市场，但是该市场很快就会出现多种技术路线，产品竞争激烈，具有较宽阔的市场前景。
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
具有高频、高速、低功耗等特点，不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性，而且也改善了器件的输出伏安特性，使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。有利于科技的发展进步，为锂电保护板提供了新的解决方案。有利于科技的发展进步，为赝配高电子迁移率晶体管提供了新的解决方案。
转让、入股、合作开发均可，商业模式灵活。
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