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GaAs、InP基光子雪崩二极管（SPAD）外延片

成果类型：: 发明专利

发布时间: 2022-11-30 15:37:36

科技成果产业化落地方案
方案提交机构：广东省广州市| 柯锐鹏 | 2023-10-19 14:56:36
成果简介 技术亮点 应用前景 团队概括 产生的效益 转化方式
SPAD（单光子雪崩二极管）是一种具有单光子探测能力的光电探测雪崩二极管。 SPAD具备高增益，是目前主流的APD的1万倍效率，高增益意味着高信噪比，信噪比是任何传感器最重要的指标，没有之一，提高信噪比的常用方法一是从发射端入手，如Luminar采用光纤激光，使用掺铒放大器（EDFA），发射功率是传统激光二极管的100倍，再有就是从接收端入手，提高接收端效率，就是用SPAD。 SPAD可以检测到非常低的信号强度（低至单光子水平），并且可以确定单光子到达皮秒级的程度。
SPAD具备高增益，是目前主流的APD的1万倍效率，高增益意味着高信噪比，信噪比是任何传感器最重要的指标，没有之一，提高信噪比的常用方法一是从发射端入手，如Luminar采用光纤激光，使用掺铒放大器（EDFA），发射功率是传统激光二极管的100倍，再有就是从接收端入手，提高接收端效率，就是用SPAD。 SPAD可以检测到非常低的信号强度（低至单光子水平），并且可以确定单光子到达皮秒级的程度。 SPAD（单光子雪崩二极管）是一种具有单光子探测能力的光电探测雪崩二极管。

该科技成果的技术覆盖面广，可用于有人居住雪山或常有人类活动迹象的雪山的雪崩探测，技术创新性强，技术成熟，投资回报可靠，目标市场处于成长市场，但是该市场很快就会出现多种技术路线，产品竞争激烈，具有较宽阔的市场前景。

中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。

可以检测到非常低的信号强度（低至单光子水平），并且可以确定单光子到达皮秒级的程度，具备高增益，实现高信噪比。有利于科技的发展进步，为光电检测雪崩二极管提供了新的解决方案。

转让、入股、合作开发均可，商业模式灵活。