科创中国
砷化镓衬底上的大失配HEMT (MHEMT )-结合InP（磷化铟）
成果类型：: 发明专利
发布时间: 2022-11-30 15:30:54
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：广东省广州市| 柯锐鹏 | 2023-10-19 15:03:26
GaAs(砷化镓)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT，同时结合了InP（磷化铟）基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的优点以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的优势，在毫米波频段展现出良好的应用潜力。
中科芯电产品PHEMT、VCSEL 等产品的主要指标达到国际水平。以 6 英寸PHEMT 为例，中科芯电在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到或优于IQE（国际 GaAs 巨头企业）同类产品指标水平。
中科芯电产品PHEMT、VCSEL 等产品的主要指标达到国际水平。以 6 英寸PHEMT 为例，中科芯电在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到或优于IQE（国际 GaAs 巨头企业）同类产品指标水平。
GaAs(砷化镓)基InAlAs/InGaAs大失配MHEMT，同时结合了InP（磷化铟）基HEMT高频、高功率增益和低噪声系数的优点以及GaAs基HEMT衬底制备工艺成熟的优势，在毫米波频段展现出良好的应用潜力。
该科技成果的技术覆盖面广，在毫米波频段展现出良好的应用潜力，技术创新性强，技术成熟，投资回报可靠，目标市场处于成长市场，但是该市场很快就会出现多种技术路线，产品竞争激烈，具有较宽阔的市场前景。
中科芯电半导体科技（北京）有限公司于2014年10月成立，是专业生产砷化镓为主的化合物半导体外延微材料的高端科技企业，包括微电子与光电子芯片材料研发并大规模生产。公司于国内建成具有自主知识产权的砷化镓分子束外延（MBE）大规模生产基地和正在扩建的MOCVD产线，未来实现年产50万片以上的目标。公司已经通过ISO9001：2015，ISO14001，北京市高新企业，中关村高新技术企业等相关认证。
在电子迁移率、二维电子气浓度、外延材料不均匀性、表面缺点密度等核心指标，均达到或优于IQE（国际 GaAs 巨头企业）同类产品指标水平。有利于科技的发展进步，为芯片制备提供了新的解决方案。
转让、入股、合作开发均可，商业模式灵活。
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