科创中国
大幅面空间隔离型原子层沉积技术
成果类型：: 发明专利,实用新型专利
发布时间: 2022-11-25 23:15:48
科技成果产业化落地方案
方案提交机构：成果发布人| 喻鑫 | 2022-11-25 23:15:49
原子层沉积（Atomic layer deposition, ALD）是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器，化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法，是一种可以将物质以单原子膜形式逐层的镀在衬底表面的方法。因此，它是一种真正的“纳米”技术，以精确控制方式实现纳米级的超薄薄膜沉积。由于ALD利用的是饱和化学吸附的特性，因此可以确保对大面积、多空、管状、粉末或其他复杂形状基体的高保形的均匀沉积。
* 体积小巧，可放在实验桌面上，方便集成；* 热壁式加热，加热更均匀；* 加热式前驱体支管，前驱体瓶 ，防止支管内沉积；* 双路支管，氧化/ 还原与有机金属前驱体分开输运；* 多8 路前驱体通道， 适合复杂/ 掺杂薄膜的沉积；* 多层衬底托盘， 多同时沉积9 片基体；* 可容纳多片4，6，8 英寸样品同时沉积；* 可容纳1.25 英寸/32mm 厚度的基体；* 标准CF-40 接口 。
电子器件不断地走向微型化和集成化。小小的一块芯片，在显微镜下放大一万倍观看（图1），其复杂程度不亚于一座城市。而对于这种高度集成化的器件来说，要让这些间隔如此小的微纳结构相互协同、互不干扰地工作，其两两之间的界线必须“棱角分明”。但目前，对于传统的化学气相沉积（CVD）和物理气相沉积（PVD）来说，想要在如此微小的尺度上实现复杂结构的有效、精确的可控沉积仍存在有一些问题[1-3]，因此需要一种能够同时满足材料多样化要求以及生长精确可控的沉积方法，作为目前日益复杂化、集成化的电子器件的发展基础。
华中科技大学是国家教育部直属重点综合性大学，由原华中理工大学、同济医科大学、武汉城市建设学院于2000年5月26日合并成立，是国家“211工程”重点建设和“985工程”建设高校之一，是首批“双一流”建设高校。
SALD提供一种类似于增材制造的方法，通过在特定区域一层层堆叠得到图案。对基底特定区域的表面进行改性，从而使得前驱体仅在该区域吸附，从而在ALD循环中，仅在特定的区域进行生长。通过这种选择性沉积，达到图案化的目的，实现原子级精度的有效控制，从而很好解决了光刻加工过程中的精度以及缺陷的问题。随着半导体器件的不断发展，在追求器件的功能和效率的同时，也对各种器件的稳定性提出了要求。由于ALD技术具有较好的保形性，因而能在不影响功能的条件下，仅仅通过沉积薄薄的一层“保护层”就能大大地提高器件的使用寿命，满足行业对器件稳定化的要求。
该成果已申请多个专利，成果持有方比较认可通过订立许可合同（普通方式），向被许可人授予科技成果的使用权的技术许可方式进行转化
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