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一种n型磷化亚铜的制备方法

成果类型：: 发明专利

发布时间: 2022-05-08 13:32:36

科技成果产业化落地方案
方案提交机构：浙江省温州市| 张暄婧 | 2022-12-09 09:31:29
成果简介 技术亮点 应用前景 团队概括 产生的效益 转化方式

本发明公开了一种n型磷化亚铜的制备方法，包括如下步骤：S1、制备表面生长有磷化亚铜的铜箔；S2、将表面生长有磷化亚铜的铜箔作为基底，在其表面沉积氧化锌薄膜；S3、将步骤S2制备的产物在惰性气体中加热，热处理温度为650‑750℃，保温时长60‑300min。采用上述技术方案，在铜箔表面生长磷化亚铜连续薄膜，使用磁控溅射在磷化亚铜表面沉积氧化锌薄膜，高温下氧化锌与磷化亚铜相互作用，锌、氧元素扩散进入磷化亚铜晶格，形成n型掺杂磷化亚铜，该制备方法简单，重复性好，成本低，并且电阻率低、温差电动势高和光电响应快。

磷化亚铜是一种半导体材料，在锂离子电池电极材料、光催化分解有机物和电催化制氢等领域均有应用。半导体材料通过掺杂可改变载流子浓度、导电类型和其它性能，比如研究发现硼、硫、钴、氧掺杂能够提高其催化性能。但是目前市面上只有p型磷化亚铜，以及对p型磷化亚铜的研究和改善。至今还尚未有n型磷化亚铜的相关报道。发明内容[0003] 本发明根据现有技术的不足，提出一种n型磷化亚铜的制备方法，通过掺杂制备了n型磷化亚铜，具有电阻率低、温差电动势高和光电反应快的优点。 

本发明涉及半导体材料技术领域，具体指一种n型磷化亚铜的制备方法。 磷化亚铜是一种半导体材料，在锂离子电池电极材料、光催化分解有机物和电催化制氢等领域均有应用。半导体材料通过掺杂可改变载流子浓度、导电类型和其它性能，比如研究发现硼、硫、钴、氧掺杂能够提高其催化性能。但是目前市面上只有p型磷化亚铜，以及对p型磷化亚铜的研究和改善。至今还尚未有n型磷化亚铜的相关报道。 

　吕燕飞，女，1979年1月出生，博士，副教授。1997年9月至2001年7月就读于浙江大学材料科学与工程系材料科学专业，获学士学位。2001年9月至2006年6月就读于浙江大学材料科学与工程系，材料物理与化学专业，硕博连读研究生，获博士学位。2006年6月至今任职于杭州电子科技大学，从事教学与科研。2011年8月至2012年4月于教育部挂职。研究领域：纳米材料的制备、表征和性能研究，乙醇和水混合溶剂法制备纳米粉体的研究，半导体纳米材料如热电材料的制备和性能研究，基于DNA分子的纳米光刻技术和石墨烯研究等。近年来主持厅局级项目1项，作为主要参与者参与3项国家自然科学基金项目，2项省部级项目，发表论文十余篇，发明专利1项。

为了研发该成果，团队成员投入了大量人力和物力，并且取得了一定收益，对于技术上存在的缺陷，团队成员会加以完善和修正，此发明对于提高人民生活水平，推动科技进步都有重要意义

技术合作，遣派学者专家到国外或者其他地区的高校，研究机构或者生产企业与对方的学者，专家合作进行研究设计，或者双方学者，专家轮流到对方学校，研究机构或者企业进行研究。