一种高定向精度硅籽晶制作方法
成果类型:: 发明专利
发布时间: 2022-05-08 11:29:20
本发明涉及一种高定向精度硅籽晶制作方法。本发明方法首先在圆柱体硅单晶晶锭一个端面上标注相互垂直的两条直径,并在圆柱体侧壁上沿轴向标注四条直线,然后在标注直径的一端切割下圆片形硅片,根据四条直线将硅片进行定向,确定该硅片与特定晶向的偏离程度和偏离方向,根据该方向标注出在硅片圆周上的起始点,将硅片恢复至硅单晶晶锭原来位置,并置于底座上,在另一个端面上对应起始点位置根据偏离程度垫高,将套筒套在底座上,注入环氧树脂并固化,最后根据需要的硅籽晶直径钻取圆柱形的圆柱形籽晶。本发明方法原理清楚、方法简单,制作的硅籽晶定向精度高。利用高精度籽晶拉制的直拉硅单晶外形接近圆形,没有明显的扁棱结构。
本发明方法原理清楚、方法简单,制作的硅籽晶定向精度高。利用高精度籽晶拉制的直拉硅单晶外形接近圆形,没有明显的扁棱结构。
本发明属于电子信息材料技术领域,涉及一种高定向精度硅籽晶制作方法,具体是拉制直拉硅单晶用籽晶的制作方法,可用于制作取向精度很高的籽晶。
直拉硅单晶是制作电子元器件的基材,它的质量好坏对电子元器件的性能有重要的影响。籽晶作为直拉硅单晶的起点,影响直拉硅单晶拉制过程中晶锭的外形,也会影响拉制的晶锭中微缺陷和杂质的分布
季振国,杭州电子科技大学特聘教授,浙江大学博士生导师,山东大学合作博士生导师,中国致公党浙江省委委员兼杭电支部主任委员,无机材料学报编委,中国真空学会理事,浙江省新世纪151人才工程入选人员。曾先后在浙江大学、英国Surrey大学、美国Lawrence Berkeley国家实验室、日本东京大学、香港中文大学等地学习和研究,主要从事电子材料与器件方面的教学与研究。已在国内外刊物上发表100多篇学术论文,获得10多项国家发明专利授权,承担和参与了包括国家重大基础研究项目(973)、国家自然科学基金重大项目、863高科技项目、军事973项目、军用元器件预研项目、国家自然科学研究基金等多个研究项目,几十年来为国家培养博士生和硕士研究生60余人
本发明方法原理清楚、方法简单,制作的硅籽晶定向精度高,偏差可以小于0 .05度。利用高精度籽晶拉制的直拉硅单晶外形接近圆形,没有明显的扁棱结构。
技术合作,遣派学者专家到国外或者其他地区的高校,研究机构或者生产企业与对方的学者,专家合作进行研究设计,或者双方学者,专家轮流到对方学校,研究机构或者企业进行研究。