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基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器

成果类型:: 发明专利

发布时间: 2022-05-08 11:23:41

科技成果产业化落地方案
方案提交机构:浙江省温州市| 姚情秘 | 2022-12-10 22:49:31

本发明公开了一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器,它是绝缘基底上面沉积的金属电极-氧化锌薄膜-金属电极单元;氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体膜。本发明的低压氧化锌压敏电阻器具有制作工艺简单,阈值电压低,重复性好,工艺可控性强的特点。

本发明的低压氧化锌压敏电阻器具有制作工艺简单,阈值电压低,重复性好,工艺可控性强的特点。

针对现有技术的不足,提供一种基于 c 轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器。

本发明涉及低压电子线路的保护元件,特别地,涉及一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器。

氧化锌压敏电阻器是一种以氧化锌为主体的多晶半导体陶瓷元件,具有通流容量大、响应速度快、无续流、无极性等优点。但是目前商用的压敏电阻的阈值电压一般都在5V以上,例如AVX公司的0402型片式压敏电阻器有5.6V、9V、14V和18V等规格

一种基于c轴取向柱状氧化锌薄膜的低压薄膜压敏电阻器,它由金属电极、氧化锌薄膜和金属电极依次连接组成,其中,所述氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状晶体薄膜;所述金属电极为金属铝膜。

季振国,杭州电子科技大学特聘教授,浙江大学博士生导师,山东大学合作博士生导师,中国致公党浙江省委委员兼杭电支部主任委员,无机材料学报编委,中国真空学会理事,浙江省新世纪151人才工程入选人员。曾先后在浙江大学、英国Surrey大学、美国Lawrence Berkeley国家实验室、日本东京大学、香港中文大学等地学习和研究,主要从事电子材料与器件方面的教学与研究。已在国内外刊物上发表100多篇学术论文,获得10多项国家发明专利授权,承担和参与了包括国家重大基础研究项目(973)、国家自然科学基金重大项目、863高科技项目、军事973项目、军用元器件预研项目、国家自然科学研究基金等多个研究项目,几十年来为国家培养博士生和季振国,杭州电子科技大学特聘教授,浙江大学博士生导师,山东大学合作博士生导师,中国致公党浙江省委委员兼杭电支部主任委员,无机材料学报编委,中国真空学会理事,浙江省新世纪151人才工程入选人员。曾先后在浙江大学、英国Surrey大学、美国Lawrence Berkeley国家实验室、日本东京大学、香港中文大学等地学习和研究,主要从事电子材料与器件方面的教学与研究。已在国内外刊物上发表100多篇学术论文,获得10多项国家发明专利授权,承担和参与了包括国家重大基础研究项目(973)、国家自然科学基金重大项目、863高科技项目、军事973项目、军用元器件预研项目、国家自然科学研究基金等多个研究项目,几十年来为国家培养博士生和硕士研究生60余人硕士研究生60余人

1.本发明采用薄膜制作工艺制作柱状氧化锌膜,薄膜的取向性控制十分方便,

只要简单地控制氧化锌膜的生长工艺,使得氧化锌薄膜为高度c轴取向的柱状膜就可以了。

2.本发明的柱状氧化锌薄膜可以保证膜厚方向内只有一个氧化锌晶粒,而且与

薄膜的厚度关系不大,由此构成的氧化锌压敏电阻器的阈值电压仅由一个晶粒决定,因此可以获得阈值电压超低的氧化锌压敏电阻器。

3.利用本发明制作的氧化锌压敏电阻器的阈值电压为3.3士0.1伏,是目前现有

氧化锌压敏电阻器中最低的。

技术合作,遣派学者专家到国外或者其他地区的高校,研究机构或者生产企业与对方的学者,专家合作进行研究设计,或者双方学者,专家轮流到对方学校,研究机构或者企业进行研究。