科创中国
大质量半绝缘砷化镓单晶
发布时间: 2026-07-29
基本信息
合作方式：
创业融资
成果类型：
发明专利,新品种
行业领域：
量子信息,其他产业
成果介绍
国内4寸光电用LED砷化镓制备工艺已基本成熟，但在大尺寸高阻单晶生长存在热场控制精度不足、生长界面凹陷、尾部多晶频发、晶体长度短、电阻率均匀性差等技术短板，国内成熟量产工艺稀缺，核心技术被海外企业垄断。本项目在六区独立温控冷壁单晶炉、局部温度梯度动态调控、分段梯度降温等自研专利技术基础上，精准优化VGF全流程热场与掺杂工艺，解决现有大尺寸晶体界面失稳、成晶率低、全域电阻率波动大等行业难题，稳定产出长尺寸、高均匀性半绝缘砷化镓单晶，缩小国内外技术差距。
产业目的：突破国外大尺寸高阻砷化镓衬底技术封锁，摆脱国内微波射频、微电子器件企业进口依赖；基于现有VGF量产设备迭代新工艺，完善国产半绝缘衬底产品体系，提升第二代半导体产业链自主可控能力。
产品适配移动通信、雷达、电子对抗、VCSEL、射频PA等军民两用器件，衬底高均匀电阻率可降低器件漏电、提升工作稳定性，支撑国内高频装备与光电子元器件国产化落地。
成果亮点
该产品为我公司自主设计研发，且为我公司的主要高新技术产品之一。其核心技术采用我公司自有专利技术，专利名称：大质量晶体生长的局部温度梯度的控制方法及装置，专利号：202010724074.5；专利名称：一种炉体温度可调的冷壁单晶炉及砷化镓晶体生长方法，专利号：201910891209.4；德国专利名称：半绝缘砷化镓单晶及其制造方法，德国专利号：Nr.102022207643；日本专利名称：半绝缘砷化镓单晶及其制造方法和生长装置，日本专利号：特許第7780223号；台湾专利名称：一种半绝缘砷化镓单晶体及其制备方法和生长装置，台湾专利号：I891008；
该产品已应用在实际项目中，解决了大质量半绝缘砷化镓单晶生长工艺技术领域中大尺寸/大质量晶体热场调控难、碳掺杂精度差，电阻率均匀性难以满足细分器件要求、大尺寸晶体热应力大，位错密度（EPD）偏高且分布不均等关键共性问题的同时，有效提升了大质量半绝缘产品的生长长度、电阻率均匀性以及EPD分布均匀效果，产品形成标准化、系列化。
团队介绍
带头人高佑君，男，1987年01月出生，研究生学历，高级工程师,共产党员，拥有授权发明专利12篇，其中国际专利6篇，授权实用新型专利10篇。2018年山西省“三晋英才”支持计划青年优秀人才，2024年山西省“三晋英才”计划产业创新青年拔尖人才，山西省工信厅专家库专家。现任中科晶电集团晶体技术研发中心负责人，负责砷化镓产品的技术开发及新材料的开发工作。
柴晓磊，男，1985年12月出生本科学历，山西省“三晋英才”支持计划青年优秀人才，山西省工信厅专家库专家，具有二十年的晶体研发经验，是我公司的研发工程师。
樊海强，男，汉族，出生于1983年12月，本科学历，2018年山西省“三晋英才”支持计划青年优秀人才，2025年山西省“三晋英才”创业领军人才。 2007年至今任职于山西中科晶电信息材料有限公司工作,目前担任山西公司总经理，集团晶体生长中心负责人，是我公司集设备研发、晶体研发、生产方案制定的多项目研发人员。另外，集团公司有数十名相关的专业人才，本公司还有几十名工作经验丰富的技术及管理人员。
成果资料
下载app