您所在的位置: 成果库 Y-Gd-Zn 三掺杂 BaCeO₃-BaZrO₃基质子导体材料

Y-Gd-Zn 三掺杂 BaCeO₃-BaZrO₃基质子导体材料

发布时间: 2026-05-18

基本信息

合作方式: 技术转让
成果类型: 新品种
行业领域:
新材料技术,新能源及节能技术
成果介绍
本成果通过在 BaCeO₃-BaZrO₃体系中引入 ZnO 作为烧结助剂,成功合成了 Y、Gd、Zn 三掺杂的 BaCe₀.₆Zr₀.₂Y₀.₁₅Gd₀.₀₅ZnₓO₃₋δ(x=0, 0.02, 0.04, 0.06)质子导体材料。XRD 确认所有样品均为单一钙钛矿结构。SEM 分析表明,Zn²⁺的引入显著改善了材料的烧结性能,促进了致密化。通过 DRT 与 ECS 联合分析,系统研究了温度、气氛和 Zn 掺杂浓度对电导率的影响。BCZYGZn0.04 在 700°C、pH₂O=0.018 atm、pO₂=0.20 atm 条件下电导率达 9.25×10⁻³ S・cm⁻¹,质子迁移数在 600°C 时为 0.88。研究还发现,质子迁移行为主要受水蒸气分压控制,受氧分压影响较小。
成果亮点
Zn 作为烧结助剂显著提升材料致密性,降低了制备工艺门槛。 三掺杂策略实现了烧结性能与电学性能的协同优化。 在中等温度下实现高质子迁移数(0.88),具备良好的中低温应用前景。 明确了质子传导的主导环境因素(水蒸气分压),为实际工况下的性能预测提供了依据。
团队介绍
杨利新,男,汉族,陕西渭南人。毕业于东北大学冶金工程专业,主要研究方向为质子导体电解质材料的制备及性能研究,目前以第一作者发表SCI论文7篇。
成果资料