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一种超薄氧化物修饰的半导体电极的制备方法
发布时间: 2025-11-26
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
新技术
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本成果提出了一种超薄氧化物修饰的半导体电极的制备方法,并将该电极应用于光电化学转化器件中。该制备方法包括以下步骤:S1:首先在导电基底上运用电泳法或滴涂法制备半导体薄膜;S2:取一定量的金属源,溶于溶剂中,配制成为前驱溶液;S3:将S2制备的溶液滴涂、旋涂或浸涂在S1制备的薄膜上;S4:在S3基础上进行氧等离子体(plasma)处理。本成果提供了一种操作简单、制备时间短、可大规模生产的超薄氧化物薄膜的制备方法,而且该超薄氧化物薄膜可以大幅提升光电化学(PEC)分解水性能,降低光电化学产氢产氧成本,具有很好的应用前景。
成果亮点
目前制备电极的方法有很多,包括磁控溅射、原子层沉积、电泳、喷雾、旋涂等方式。CN103066345A-种光电化学电池电极及其制备方法和应用,半导体薄膜为纳米氧化亚铜薄膜,且所述的纳米氧化亚铜薄膜中含有金属铜微粒。所述电极的制备是采用电化学沉积法在导电基体上直接生长含有金属铜微粒的氧化亚铜薄膜。CN113135591A一种二氧化钛纳米棒阵列的制备方法,提供一衬底:将聚乙烯吡咯烷酮溶解在1-戊醇中,然后加入柠檬酸钠水溶液,混合形成透明的微乳液;将去离子水与浓盐酸混合搅拌后,向其中加入钛酸四丁酯,混合形成钛源前驱液;将所述微乳液和所述钛源前驱液混合,然后将所述衬底放入混合溶液中,然后在80~130℃的温度下反应5~30h,反应结束后取出所述衬底并清洗,烘于,得到生长于所述衬底表面的二氧化钛纳米棒阵列。该纳米二氧化钛可以用于超薄薄膜电极中。但是上述制备方法都过于复杂。本团队首次采用滴涂后进行0,等离子体处理来制造保形和均匀的超薄外层。在本研究中,TiO_外层具有钝化表面陷阱和与WO,颗粒形成异质结的双重目的,从而分别抑制表面电荷复合和增强电荷分离。
团队介绍
联系人： 庄老师 电话：15295039286 单位名称：常州市武进区科技成果转移中心
成果资料
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