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一种半导体晶片磁控研磨和抛光一体盘及其使用方法
发布时间: 2025-11-03
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
高端装备制造产业,智能制造装备产业
成果介绍
本发明涉及超精密抛光技术领域，更具体地，涉及一种半导体晶片磁控研磨和抛光一体盘及其使用方法，包括金属基体、若干磁流变弹性体、磁场发生装置、磁场隔离板、底座，若干磁流变弹性体均装设于所述金属基体中，所述磁场发生装置装设于所述底座且位于磁流变弹性体下方，所述磁场隔离板可拆卸安装于金属基体与底座之间，金属基体与底座可拆卸连接。本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种半导体晶片磁控研磨和抛光一体盘，可实现一个工具盘能够满足晶片研磨和抛光两种工艺要求，在确保研磨质量与抛光质量的同时，可有效地减小更换工具盘和工件安装的时间，实现半导体晶片高效平坦化加工。
成果亮点
磁控模量动态切换技术
通过磁场发生装置（0.1-1.2T无极调控）实时改变磁流变弹性体模量（2-15MPa范围），实现研磨阶段高刚度材料快速去除与抛光阶段低刚度精细抛光的无缝切换，工艺转换时间从传统40分钟缩短至30秒内。
多功能集成结构设计
金属基体嵌入式布局磁流变弹性体单元，配合可拆卸磁场隔离板，单盘即可提供研磨所需刚性支撑（硬度 Shore D 85）与抛光所需的柔性自适应（硬度 Shore A 60），工具盘数量减少50%。
高效平坦化加工能力
在SiC晶片加工中实现研磨阶段去除率4.5μm/min、抛光阶段表面粗糙度Ra≤0.3nm的一体化作业，全局平坦度（TTV）控制在0.8μm以内，工序周期缩短65%。
智能工艺适配系统
集成压力-磁场联动控制算法，根据晶片表面形貌自动优化工艺参数，支持4-8英寸晶片全自动加工，设备占地面积减少40%。
团队介绍
广东工业大学 熊强; 路家斌; 阎秋生; 骆应荣; 胡达
成果资料
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