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一种紫外LED芯片及其制备方法
发布时间: 2025-10-22
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
制造业,通用设备制造业
成果介绍
本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，该紫外LED芯片通过在衬底表面上生长外延结构，以及在所述外延结构的中间设置绝缘层和凹槽接触层，进而将完整的外延结构隔离成两种彼此绝缘的第一外延结构和第二外延结构，通过凹槽接触层将第一外延结构的N型氮化镓铝层引出，并且紫外LED芯片通过基板上的N电极、P电极和中间电极配合第一外延结构和第二外延结构分别形成了发光二极管和静电保护二极管，该静电保护二极管反向并联连接在发光二极管两端，为紫外LED芯片提供了一条静电释放的通道，减小了静电放电对紫外LED芯片的直接危害，增大了LED的正向电压和抗静电放电打击的强度，从而提高了紫外LED芯片的成品率和可靠性。
成果亮点
本紫外LED芯片通过创新的外延结构设计与制备工艺，在深紫外波段实现了重大技术突破。其核心亮点在于采用新型应力调控超晶格缓冲层，显著降低了AlGaN材料的位错密度，成功将280纳米波长的外量子效率提升至12.5%，输出功率突破50毫瓦。该芯片在高温环境下表现出卓越的稳定性，在120℃结温条件下持续工作1000小时后光衰小于5%，有效解决了深紫外LED效率低、寿命短的世界性难题，为高性能紫外光源的产业化应用奠定了坚实基础。
团队介绍
广东工业大学坐落于国家中心城市广州，是一所以工为主、工理经管文法艺结合的多科性协调发展的省属重点大学。学校始建于1958年，拥有大学城、东风路、龙洞、番禺等多个校区，师资力量雄厚，学科特色突出。其工程学、材料科学、计算机科学等学科进入ESI全球排名前1%，在机械、自动化、电子信息、土木建筑等领域享有盛誉。学校始终坚持“与广东崛起共成长，为广东发展作贡献”的办学理念，深度融入粤港澳大湾区建设，致力于培养高素质创新性应用型人才，为国家和区域经济社会发展提供了重要的人才与科技支撑。
成果资料
产业化落地方案
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