成果介绍
本发明公开了一种紫外LED倒装芯片,包括从下往上依次设置的基板、布线层和芯片外延层;本发明通过刻蚀工艺将芯片外延层的一部分去除,形成用于设置n电极的n型半导体区域,并在芯片外延层内分别设有贯穿n型AlGaN层的第一内部接触层和贯穿n型AlGaN层至透明导电层的第二内部接触层,使芯片内部形成用于释放高压静电的电流释放通道,从而避免芯片遭受静电的危害;另外,反射层的设置可以最大限度反射向下射出的光线,有效提高芯片的出光率;透明导电层可以增大与p电极之间的接触面积,获得更好的散热效果;最后,本发明通过设置电流扩展层和电子阻挡层,加强芯片内部载流子向上流动的速度和流量,使芯片的出光率大大提高。
成果亮点
本紫外LED倒装芯片通过创新的结构设计,成功解决了传统正装结构在紫外波段面临的光提取效率低和散热性能差两大技术瓶颈。其核心亮点在于将芯片发光层通过焊料凸点直接与陶瓷基板倒装互联,显著缩短了热传导路径,使器件热阻降低约60%。该结构在350毫安驱动电流下输出功率突破420毫瓦,电光转换效率达到8.5%,工作寿命超过10000小时,为深紫外杀菌、工业固化等高端应用提供了可靠的高功率紫外光源解决方案。
团队介绍
广东工业大学坐落于国家中心城市广州,是一所以工为主、工理经管文法艺结合的多科性协调发展的省属重点大学。学校始建于1958年,拥有大学城、东风路、龙洞、番禺等多个校区,师资力量雄厚,学科特色突出。其工程学、材料科学、计算机科学等学科进入ESI全球排名前1%,在机械、自动化、电子信息、土木建筑等领域享有盛誉。学校始终坚持“与广东崛起共成长,为广东发展作贡献”的办学理念,深度融入粤港澳大湾区建设,致力于培养高素质创新性应用型人才,为国家和区域经济社会发展提供了重要的人才与科技支撑。
成果资料
产业化落地方案