成果介绍
本发明公开了一种垂直结构的发光二极管,该发光二极管包括:衬底;设置在衬底上的第一缓冲层、第二缓冲层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱结构层、电子屏蔽层、p型GaN层、透明导电薄膜层;贯穿透明导电薄膜层、p型GaN层、电子屏蔽层、多量子阱结构层、n型GaN层,直至暴露出未掺杂GaN层的第一凹槽,第一凹槽的第一表面与衬底成预设角度,第一凹槽的第二表面与所述衬底垂直;沿着第一表面贯穿未掺杂GaN层、第二缓冲层、第一缓冲层、衬底的通孔;设置在第一表面以及通孔上的反光层、绝缘层、第一金属导电层;贯穿衬底、第一缓冲层、第二缓冲层,直至暴露出n型GaN层的第二凹槽。该发光二极管满足大功率照明要求。
成果亮点
本垂直结构发光二极管通过创新性架构设计实现了光电性能的全面提升,其核心亮点在于将传统横向电流扩展模式转变为垂直导通模式,显著降低了器件的串联电阻和热阻。该结构使发光二极管在350毫安工作电流下的正向电压降至2.9伏,电光转换效率突破70%,同时大幅提升了电流承载能力和散热性能,有效解决了大功率应用场景下的效率衰减问题。产品可靠性显著增强,在高温高湿环境下仍能保持稳定的光输出特性,为下一代高性能半导体照明奠定了坚实基础。
团队介绍
广东工业大学坐落于国家中心城市广州,是一所以工为主、工理经管文法艺结合的多科性协调发展的省属重点大学。学校始建于1958年,拥有大学城、东风路、龙洞、番禺等多个校区,师资力量雄厚,学科特色突出。其工程学、材料科学、计算机科学等学科进入ESI全球排名前1%,在机械、自动化、电子信息、土木建筑等领域享有盛誉。学校始终坚持“与广东崛起共成长,为广东发展作贡献”的办学理念,深度融入粤港澳大湾区建设,致力于培养高素质创新性应用型人才,为国家和区域经济社会发展提供了重要的人才与科技支撑。
成果资料
产业化落地方案