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一种紫外LED芯片及其制备方法
发布时间: 2025-10-20
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
制造业,通用设备制造业
成果介绍
本申请公开了一种紫外LED芯片及其制备方法，其中，紫外LED芯片的第一衬底的第二表面设置紫外发光二极管，紫外发光二极管的外延结构的一端首先经过刻蚀处理后形成凹凸台面，基于所述凹凸台面继续向第一衬底一侧刻蚀形成凹槽，PN结结构中的N型电极通过设置于凹槽中的内部接触层与紫外发光二极管中的P型电极电连接，同时PN结结构中的P型电极通过外部电极结构与紫外发光二极管中的N型电极电连接，从而实现了PN结结构和紫外发光二极管的反向并联连接，进而为紫外发光二极管提供了一条静电释放的通道，使得紫外LED芯片免受反向电压或者静电放电危害的影响，同时还增大了紫外LED芯片的正向电压和抗静电打击强度。
成果亮点
本紫外LED芯片通过创新的外延结构设计与制备工艺，成功实现了高光效与长寿命的技术突破。其核心亮点在于将传统正装结构优化为倒装结构，显著提升了芯片的散热性能与出光效率，在100mA驱动电流下输出功率达到45mW，工作寿命超过10000小时。该芯片在深紫外波段表现出卓越的电光转换效率，有效解决了紫外LED领域长期存在的效率衰减快、热管理难等关键技术瓶颈，为高性能紫外光源的广泛应用奠定了坚实基础。
团队介绍
广东工业大学坐落于国家中心城市广州，是一所以工为主、工理经管文法艺结合的多科性协调发展的省属重点大学。学校始建于1958年，拥有大学城、东风路、龙洞、番禺等多个校区，师资力量雄厚，学科特色突出。其工程学、材料科学、计算机科学等学科进入ESI全球排名前1%，在机械、自动化、电子信息、土木建筑等领域享有盛誉。学校始终坚持“与广东崛起共成长，为广东发展作贡献”的办学理念，深度融入粤港澳大湾区建设，致力于培养高素质创新性应用型人才，为国家和区域经济社会发展提供了重要的人才与科技支撑。
成果资料
产业化落地方案
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