成果介绍
项目完成的研究内容包括(1)二硒化钨电致发光器件的设计制备与表征;(2)等离激元与氮化硅片上谐振腔的相互作用研究;(3)增益介质与片上氮化硅谐振腔的集成及激光测试。研究内容(1)包含二硒化钨材料制备及表征以及电致发光装置的设计制备与表征两部分内容;研究内容(2)包含法布里-珀罗片上氮化硅谐振腔设计制备表征以及金属光栅结构对氮化硅谐振腔的增强效应两部分研究内容;研究内容(3)具体包含二硒化钨与片上氮化硅波导的集成、硫化铅量子点与片上谐振腔集成制备与表征以及氮化硅片上双环谐振腔设计、二硒化钨集成及激光测试三部分。
成果亮点
①二维范德华半导体与等离激元纳米结构及片上氮化硅谐振腔异质集成属于集成工艺创新,涉及到不同材料在光子芯片平台的制备、转移、集成等工艺开发;②三种材料中两两之间的耦合相互作用增强光耦合和光辐射属于机理创新,理论上等离激元局域热点的增强效果非常显著,但是在光子芯片平台尚未被研究,本项目提供了片上平台的创新研究结果。
团队介绍
长安大学(Chang’an University),位于陕西省西安市,简称“长大”,直属国家教育部,是国家首批“211工程”重点建设大学、国家“985工程优势学科创新平台”建设高校、国家“双一流”建设高校。入选国家“111计划”、“双万计划”、教育部“卓越工程师教育培养计划”、国家建设高水平大学公派研究生项目、世界能源大学联盟成员高校,丝绸之路大学联盟,是高水平行业特色大学优质资源共享联盟。
成果资料