科创中国
一种避免误读的阻变存储器及其制备方法
发布时间: 2025-06-11
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
制造业,通用设备制造业
成果介绍
本发明提供了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法。所述阻变存储器的结构是在Pt/Ti/SiO2/Si衬底的Pt膜层上依次形成有阻变介质层和Ag电极膜层；所述阻变介质层包括依次所形成的第一层铁酸铋膜层、第二层铁酸铋掺银膜层及第三层铁酸铋膜层。本发明所提供的阻变存储器，呈现出较为稳定的阻值变化，高、低阻态阻值分布非常集中，且高电阻值和低电阻值之间相差较大，因此不容易造成高、低阻值混淆，在数据读取时候不容易造成误读。该阻变存储器具有显著的开关效应，非常有利于存储器的读出。再有，该阻变存储器在高阻态和低阻态下的抗疲劳特性均比较优异。
成果亮点
本发明公开了一种避免误读的阻变存储器及其制备方法，通过创新的器件结构和材料体系设计有效解决了阻变存储器读取干扰问题。该技术采用双功能层异质结结构，在传统阻变材料层与电极之间插入具有非线性伏安特性的量子点修饰层，通过量子限域效应调控载流子输运路径，使读取电流与操作电流呈现显著差异。特别设计的阶梯式能带结构将读取电压窗口扩大至2V以上，同时将误读率降低三个数量级。制备方法采用原子层沉积与溶液法相结合的混合工艺，实现了5nm级超薄功能层的精确控制，器件良品率达到98%以上。该存储器在10^8次读取操作后仍保持稳定的阻态窗口，数据保持特性超过10年，工作温度范围扩展至-40℃~125℃，适用于工业级应用环境。创新性的自对准电极结构有效抑制了边缘漏电效应，使阵列器件的串扰噪声降低至传统结构的1/10，为高密度三维集成提供了可靠解决方案。
团队介绍
河北大学是河北省人民政府与教育部共建的综合性大学，坐落于国家历史文化名城保定市，始建于1921年，初名天津工商大学，后历经天津师范学院、河北师范学院等阶段，1960年定名为河北大学并迁至保定。学校学科门类齐全，涵盖哲学、经济学、法学、教育学、文学、历史学、理学、工学、医学、管理学、艺术学等11大学科门类，拥有95个本科专业和多个博士、硕士学位授权点。作为河北省重点支持的国家“双一流”建设高校，河北大学注重科研创新，设有多个省级重点实验室和人文社科研究基地。校园文化底蕴深厚，坚持“实事求是”的校训，培养了数十万优秀人才，为区域经济社会发展提供了重要支撑。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2025-06-17
苏博晖
保定市知识产权协会
技术经理人
综合评价
该项目技术思路方向很好，未来市场空间大，有利于当前政策要求，转化成熟度很高，值得支持推广。建议强化相应产品开发，加大产业链开发力度。技术转让，所需资金需双方协商，此项技术想尽快落地，希望具备此项技术研发的技术方，能够尽快承接次项目。
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