科创中国
一种用于SiC晶片化学机械抛光的磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫、制备方法及其应用
发布时间: 2025-05-20
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
高端装备制造产业,智能制造装备产业
成果介绍
本发明提供的磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫，能够通过外加磁场控制抛光垫的硬度实现控制抛光垫中的金属在电解质溶液中对SiC晶片的化学腐蚀作用，本申请将金属粉末固结在抛光垫中，金属粉末颗粒在不具有腐蚀性的电解质溶液中能对SiC晶片表面发生接触腐蚀，极强氧化性的空穴将SiC表面氧化成硬度较低、结合力较小的SiO2氧化层，然后在磨料的机械作用下实现对SiC晶片表面的高效材料去除。通过调节抛光垫中的磨料对SiC表面腐蚀层的机械去除，实现化学机械作用平衡的高效材料去除、获得高质量SiC晶片表面。
成果亮点
该成果创新性地开发出磁流变弹性金属接触腐蚀抛光垫，通过智能材料与化学机械抛光的协同作用，实现碳化硅（SiC）晶片的高效超精密加工。核心技术突破包括：1）设计具有磁控模量可调特性的弹性金属复合抛光层，实现抛光压力动态精准调控；2）开发选择性腐蚀活化技术，在机械去除同时促进表面化学反应，显著提升材料去除率并降低亚表面损伤；3）创新抛光垫微结构设计，优化抛光液输运与废屑排出通道，延长使用寿命。该技术解决了传统抛光垫在硬脆材料加工中存在的效率低、表面质量差等瓶颈问题，抛光后SiC晶片可获得原子级平整表面，关键技术指标达到国际先进水平。制备方法具有工艺可控性强、成本优势明显等特点，为第三代半导体材料的产业化应用提供了关键加工技术支撑。
团队介绍
广东工业大学（GDUT）是广东省重点建设的以工为主、多学科协调发展的综合性大学，坐落于广州。学校始建于1958年，1995年由三所工科院校合并组建，现为广东省高水平大学建设高校，入选国家"111计划"和"卓越工程师教育培养计划"。
学校以工科见长，工程学、材料科学等学科进入ESI全球前1%，拥有国家重点实验室等国家级科研平台。现有全日制在校生4.6万余人，设21个学院，84个本科专业，8个一级学科博士点。学校注重产学研结合，与华为、美的等企业深度合作，科研经费超10亿元，专利授权量位居全国前列。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2025-05-21
苏博晖
保定市知识产权协会
技术经理人
综合评价
该项目技术思路方向很好，未来市场空间大，有利于当前政策要求，转化成熟度很高，值得支持推广。建议强化相应产品开发，加大产业链开发力度。技术转让，所需资金需双方协商，此项技术想尽快落地，希望具备此项技术研发的技术方，能够尽快承接次项目。
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