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磷化锗锌晶体材料及其器件

发布时间: 2024-12-05

基本信息

合作方式： 技术转让
成果类型： 发明专利
行业领域：
高新技术改造传统产业,新型机械
成果介绍
主要研究内容 双温区法大批量高纯单相 ZnGeP2 多晶合成工艺；大尺寸晶体坩埚下降法生长 及后处理工艺，包括纵径向温场、下降速率、退火温度与时间等；器件研制，包括膜系设计与镀膜工艺；研究生长工艺、缺陷和光学性能间关系，并通过改进工艺减少缺陷，提高晶体和器件性能。
成果亮点
技术指标、特点 晶体尺寸φ 20×120mm，3-8µm 吸收系数< 0.03cm-1，2.05µm 吸收系数< 0.1cm-1；器件尺寸 5×5×15mm，有效通光孔径 80%，通光面平行度<2arcmin，通光面垂直度<15arcmin，定向偏差<0.5°。晶体及其器件的技术指标已达到国际先进水平。 应用领域 红外光谱、红外医疗器械、药物检测、红外光刻、大气中有害物质的监测、 远距离化学传感、星际形成过程和星际介质化学物质研究、工业检测以及国防等方面。
团队介绍
2020年6月7日，习近平总书记致信祝贺哈尔滨工业大学建校100周年。贺信指出，哈尔滨工业大学历史悠久。新中国成立以来，在党的领导下，学校扎根东北、爱国奉献、艰苦创业，打造了一大批国之重器，培养了一大批杰出人才，为党和人民作出了重要贡献。希望哈尔滨工业大学在新的起点上，坚持社会主义办学方向，紧扣立德树人根本任务，在教书育人、科研攻关等工作中，不断改革创新、奋发作为、追求卓越，努力为实现“两个一百年”奋斗目标和中华民族伟大复兴的中国梦作出新的更大贡献。 在习近平总书记贺信精神的引领下，全体哈工大人正奋力开创中国特色、世界一流、哈工大规格的新百年卓越之路。
成果资料