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一种碳化硅基钽酸锂复合晶片及其键合制备方法
发布时间: 2024-09-24
基本信息
合作方式：
技术转让
成果类型：
发明专利
行业领域：
新材料技术
成果介绍
本发明涉及半导体材料制备工艺领域，尤其涉及一种碳化硅基钽酸锂复合晶片及其键合制备方法，包括以下步骤：步骤1)清洗和抛光SiC晶片和LiTaO＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;晶片；步骤2)利用氩离子束分别轰击SiC晶片和LiTaO＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;晶片的抛光面，进行表面活化处理，表面活化处理会使SiC晶片表面和LiTaO＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;晶片表面分别形成非晶SiC层和非晶LiTaO＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;层，并在其表面形成大量原子悬挂键，其中，氩离子束可采用纯氩离子束或含Si氩离子束，特别是含Si氩离子束，可在轰击后的两种晶片表面实现Si补偿，提高键合强度；步骤3)通过相互接触并施加负载使两晶片表面的原子悬挂键形成化学键，最终实现SiC晶片和LiTaO＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;晶片的异质集成，从而最大化发挥LiTaO＆lt;subgt;3＆lt;/subgt;基器件的铁电、压电、声光及电光等性能。
成果亮点
对现有技术中SAW滤波器热特性较差的问题，本发明提供一种碳化硅基钽酸锂复合晶片键合制备方法。
本发明是通过以下技术方案来实现：
一种碳化硅基钽酸锂复合晶片键合制备方法，包括以下步骤：
步骤1)清洗并单面抛光SiC晶片和LiTaO3
晶片；
步骤2)利用氩离子束分别轰击SiC晶片和LiTaO3
晶片的抛光面，进行表面活化处理，在活化的SiC晶片表面和LiTaO3
晶片表面分别形成非晶SiC层和非晶LiTaO3
层；
步骤3)将SiC晶片的非晶层和LiTaO3
晶片的非晶层互相接触，并施加负载进行键合，获得SiC基LiTaO3
复合晶片。
优选的，步骤1)中，SiC晶片和LiTaO3
晶片的表面均为原子级光滑表面。
优选的，步骤1)中，清洗时，首先将SiC晶片依次浸泡在乙醇溶液、丙酮溶液中，之后，依次用丙酮、乙醇对SiC晶片和LiTaO3
晶片进行超声波清洗，并用去离子水清洗、烘干。
团队介绍
咸阳职业技术学院创始于1937年，2004年经陕西省人民政府批准，教育部备案，由原陕西省乾县师范学校、彬县师范学校、仪祉农业学校和咸阳市体育运动学校、卫生学校、技工学校等6所学校合并而成，是咸阳市人民政府直属的唯一一所全日制公办普通高等学校。学院为省级示范高职院校、省级“双高计划”建设单位、全国文明单位、全国绿化模范单位、国家节约型公共机构示范单位和中国特色“双高计划”高水平专业群建设单位。全日制在校学生20000多名。
成果资料
产业化落地方案
成果综合评价报告
评价单位：- (-) 评价时间：2025-03-09
徐超
西北农林科技大学
教授
综合评价
该成果属于半导体材料制备工艺领域。该技术创新性很强，且技术成熟，投资回报比较可靠。
总体而言，该项技术思路方向很好，未来市场空间较大，有利于当前政策要求，转化成熟度高，值得支持推广。建议强化相应产品开发，加大产业链开发力度。
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